電子放出素子とその製造方法、該電子放出素子を用いた電子源とその製造方法、並びに該電子源を用いた画像形成装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：豊田善雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-197136
公開番号（公開出願番号）：特開平8-045415
出願日： 1994年08月01日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：

【要約】【目的】均一な電子放出特性を示す表面伝導型電子放出素子を作製する。【構成】絶縁性基板1上に、素子電極2、2’を形成した後、先ず第1の導電性薄膜3を形成し、通電処理を経て亀裂を形成し、更に、その上に第2の導電性薄膜4を形成して再び通電処理を施し、亀裂5を形成してなる電子放出素子。

請求項（抜粋）：

一対の対向する素子電極に跨がって導電性薄膜を形成し、該電極間隙に位置する薄膜に電子放出部を形成してなる表面伝導型の電子放出素子であって、上記導電性薄膜が少なくとも2層からなり、素子電極間隙の略中央に亀裂を設けた下層の薄膜及び該下層の亀裂上に上層の薄膜が形成され、下層の薄膜の亀裂の内側に上層の薄膜の亀裂が形成されていることを特徴とする電子放出素子。

IPC (5件)：

H01J 1/30 , H01J 9/02 , H01J 31/12 , H01J 31/15 , H04N 5/66 101

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平1-276530
特開平1-279541
特開平2-192638

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