特許

J-GLOBAL ID：200903074495019909

半導体薄膜の製造方法

発明者： 奥村 展 ,  世良 賢二
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 畑 泰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-030996
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228360
出願日： 1999年02月09日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：

【要約】【課題】 工程数を増やすことなく平坦性に優れ、大粒径を有するpoly-Si薄膜を形成できる半導体薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】 絶縁基板1上に非単結晶薄膜半導体2と触媒元素を含むキャップ膜5を順に形成し、このキャップ膜5上からエキシマレーザ光8を照射した後、前記キャップ膜5の除去を行うことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に非単結晶薄膜半導体と触媒元素を含むキャップ膜を順に形成し、このキャップ膜上からエキシマレーザ光を照射した後、前記キャップ膜の除去を行うことを特徴とする半導体薄膜の製造方法。

IPC (11件)：

H01L 21/20 ,  B01J 23/38 ,  B01J 23/42 ,  B01J 23/64 ,  B01J 23/68 ,  B01J 23/70 ,  B01J 23/755 ,  B01J 23/86 ,  B01J 23/89 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (10件)：

H01L 21/20 ,  B01J 23/38 M ,  B01J 23/42 M ,  B01J 23/64 M ,  B01J 23/68 M ,  B01J 23/70 M ,  B01J 23/86 M ,  B01J 23/89 M ,  B01J 23/74 321 M ,  H01L 29/78 627 G

Fターム (45件)：

4G069AA02 ,  4G069BB02A ,  4G069BB02B ,  4G069BC32A ,  4G069BC33A ,  4G069BC58A ,  4G069BC58B ,  4G069BC66A ,  4G069BC66B ,  4G069BC67A ,  4G069BC68A ,  4G069BC68B ,  4G069BC72A ,  4G069BC75A ,  4G069BC75B ,  4G069CD10 ,  5F052AA02 ,  5F052BA02 ,  5F052BB07 ,  5F052DA01 ,  5F052DA02 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052EA02 ,  5F052FA01 ,  5F052JA01 ,  5F110AA01 ,  5F110AA16 ,  5F110AA18 ,  5F110BB02 ,  5F110CC01 ,  5F110DD02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG16 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110GG58 ,  5F110PP03 ,  5F110PP31 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ03 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ28

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-124171   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-308253   出願人：日本電気株式会社
• 薄膜半導体装置とその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-195905   出願人：株式会社リコー, リコー応用電子研究所株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-221702   出願人：富士通株式会社