特許

J-GLOBAL ID：200903030865534720

半導体装置の製造方法

発明者： 菅 勝行 ,  三島 康由 ,  瀧澤 裕
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-221702
公開番号（公開出願番号）：特開平11-067663
出願日： 1997年08月18日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：

【要約】【課題】 アモルファスシリコン膜の結晶粒径の大きなポリシリコン膜を安定して形成できるようにして,薄膜トランジスタの特性を向上させる。【解決手段】 基板上にシリコン薄膜と厚さ10〜300 Å(好ましくは10〜100 Å) の酸化シリコン膜とが形成された状態で,該シリコン薄膜にレーザ光を照射して該シリコン薄膜の結晶化を行う。

請求項（抜粋）：

基板上にシリコン薄膜と厚さ10〜300 Åの酸化シリコン膜とが順に形成された状態で,該シリコン薄膜にレーザ光を照射して該シリコン薄膜の結晶化を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (4件)

• レーザーアニール方法およびレーザーアニール装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-328223   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体基板及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-095580   出願人：シャープ株式会社
• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-333603   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-037969   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所