特許
J-GLOBAL ID：200903074497717522
電界効果装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-514423
公開番号（公開出願番号）：特表平9-507616
出願日： 1995年10月20日
公開日（公表日）： 1997年07月29日
要約：
【要約】本発明は通常チャネルのドレイン側ではなくソース側でチャネル電流中に発生される熱い電子を以て情報を書き込む(E)EPROMに関するものである。このために必要とするチャネル(6)中の電界分布を得るために、ソース領域(4)に隣接して厚肉部分(13)を有するゲート酸化物(10)を設け、高いゲート電圧で強い横方向の電界をチャネル中に局部的に誘起させる。チャネル中のこの横方向の電界及びゲート酸化物中の比較的高い電界によりフローティングゲート(9)への電子の有効な電荷転送が達成される。ゲート酸化物の前記厚肉部分は熱酸化により簡単に得ることができる。チャネルのドレイン側に強い電界が形成されるのを阻止するために、薄肉ゲート酸化物に隣接するLDD構造(5a)をドレインに設けるのが好ましい。この結果として、この薄肉ゲート酸化物を通るファウラー・ノルトハイムのトンネル効果を消去にも用いることができる。
請求項（抜粋）：
電界効果トランジスタを有するメモリ素子が表面に設けられている半導体本体を具える半導体装置であって、前記電界効果トランジスタは、各々がpn接合により半導体本体の周囲部分から分離されているソース領域及びドレイン領域と、これらソース及びドレイン領域間に位置するチャネル領域とを有しており、前記半導体本体には制御電極と、この制御電極及び前記チャネル領域間に位置し且つ間挿ゲート誘電体により前記表面から分離されているフローティングゲート電極とが設けられ、熱い電荷キャリアの発生によりソース領域における又はソース領域に隣接するフローティングゲート電極に電荷を与える手段が設けられている半導体装置において、 前記手段が、前記ソース領域に隣接してゲート誘電体の厚肉部分を有し、ソース領域のpn接合がこの厚肉部分の下側で半導体本体の前記表面と交差しており、ソース領域とフローティングゲート電極とが表面上から見て少なくともほぼ一致している縁部を有しており、ドレイン領域のpn接合が前記表面と交差する領域でのゲート誘電体が前記厚肉部分の領域でのゲート誘電体よりも薄肉になっていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/8247
, H01L 27/115
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
