特許

J-GLOBAL ID：200903074527918315

レジスト残渣除去剤

発明者： 矢田 隆司 ,  高島 英明 ,  大串 建 ,  佐藤 愛彦
出願人/特許権者： 岸本産業株式会社 ,  フアインポリマーズ株式会社
代理人 (1件)： 石井 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-257944
公開番号（公開出願番号）：特開2002-176041
出願日： 2001年08月28日
公開日（公表日）： 2002年06月21日
要約：

【要約】【課題】 半導体デバイス製造プロセスや液晶デバイス製造プロセスにおけるドライエッチング残渣、すなわちドライエッチングによって生成する金属成分を含む残渣や注入イオンを含むレジストを、配線やゲート金属を腐食することなく除去可能なレジスト残渣除去剤を提供する。【解決手段】 リン酸と1〜4級アミンから選択される1種または2種以上のアミンとを含有し、pHが0.5〜13の範囲の水溶液であり、リン酸を0.5〜30質量%、アミンを総計1〜60質量%含有する構成のレジスト残渣除去剤とした。

請求項（抜粋）：

リン酸と1〜4級アミンから選択される1種または2種以上のアミンとを含有し、pHが0.5〜13の範囲の水溶液であり、リン酸を0.5〜30質量%、アミンを総計1〜60質量%含有するレジスト残渣除去剤。

IPC (10件)：

H01L 21/308 ,  C11D 3/06 ,  C11D 3/30 ,  C11D 7/16 ,  C11D 7/32 ,  C11D 7/60 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/304 647 ,  H01L 21/304

FI (10件)：

H01L 21/308 G ,  C11D 3/06 ,  C11D 3/30 ,  C11D 7/16 ,  C11D 7/32 ,  C11D 7/60 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/304 647 A ,  H01L 21/304 647 Z ,  H01L 21/30 572 B

Fターム (15件)：

2H096AA25 ,  2H096LA03 ,  4H003DA15 ,  4H003EA08 ,  4H003EB13 ,  4H003EB14 ,  4H003EB19 ,  4H003FA01 ,  4H003FA03 ,  4H003FA15 ,  4H003FA21 ,  5F043BB27 ,  5F043BB28 ,  5F043CC09 ,  5F046MA02

引用特許：

審査官引用 (4件)

• レジスト剥離剤
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-267432   出願人：旭電化工業株式会社
• 特開昭62-106459
  
• 洗浄剤組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-219943   出願人：花王株式会社
• レジスト残渣除去剤
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-334202   出願人：岸本産業株式会社