特許

J-GLOBAL ID：200903012810752681

洗浄剤組成物

発明者： 田村 敦司 ,  北澤 宏造
出願人/特許権者： 花王株式会社
代理人 (1件)： 細田 芳徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-219943
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044161
出願日： 1999年08月03日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：

【要約】【課題】金属不純物が付着した半導体基板又は半導体素子の洗浄に優れ、且つシリコンウェハ、配線材料に対する腐食の小さい半導体素子用洗浄剤組成物を提供すること。【解決手段】リン酸及び/又はその塩を含有し、pHが0.1〜6.0である半導体素子用洗浄剤組成物、並びにかかる半導体素子用洗浄剤組成物を用いる半導体素子の洗浄方法。

請求項（抜粋）：

リン酸及び/又はその塩を含有し、pHが0.1〜6.0である半導体素子用洗浄剤組成物。

IPC (9件)：

H01L 21/304 647 ,  C11D 7/08 ,  C11D 7/16 ,  C11D 7/26 ,  C11D 7/32 ,  C11D 7/34 ,  C11D 7/36 ,  C11D 7/60 ,  C11D 17/00

FI (9件)：

H01L 21/304 647 A ,  C11D 7/08 ,  C11D 7/16 ,  C11D 7/26 ,  C11D 7/32 ,  C11D 7/34 ,  C11D 7/36 ,  C11D 7/60 ,  C11D 17/00

Fターム (11件)：

4H003BA12 ,  4H003DA15 ,  4H003EA04 ,  4H003EA08 ,  4H003EB07 ,  4H003EB08 ,  4H003EB16 ,  4H003EB24 ,  4H003ED02 ,  4H003FA15 ,  4H003FA28

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体基板の洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-335995   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 洗浄処理剤
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-152834   出願人：和光純薬工業株式会社
• 半導体デバイス製造プロセス用および液晶デバイス製造プロセス用洗浄剤
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-339342   出願人：岸本産業株式会社, 大塚化学株式会社
• 電子材料用基板洗浄液
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-112882   出願人：関東化学株式会社