半導体装置及び半導体回路

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-331207
公開番号（公開出願番号）：特開平8-162935
出願日： 1994年12月08日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：

【要約】【目的】ソース電流の一部分がソース信号路に分流するのを大幅に制限すると共に、ソース電流と浮遊インダクタンスに起因する電圧降下の影響を除去すること。【構成】主電流端子となるドレイン端子とソース端子、制御信号端子となるゲート端子とソース信号端子とを有する電界効果トランジスタを含む半導体装置において、そのソース電極と前記ソース信号端子との間に直列に抵抗手段を備えたことを特徴とする半導体装置。

請求項（抜粋）：

主電流端子となるドレイン端子とソース端子、制御信号端子となるゲート端子とソース信号端子とを有する電界効果トランジスタを含む半導体装置において、そのソース電極と前記ソース信号端子との間に直列に抵抗手段を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H03K 17/687 , H03K 17/12 , H03K 17/567

FI (2件)：

H03K 17/687 A , H03K 17/56 D

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体リレー回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-150961 出願人：松下電工株式会社
スイッチング素子の制御回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-086395 出願人：松下電器産業株式会社
特開平2-092111

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