特許
J-GLOBAL ID：200903074571373369

パターン形成方法

発明者：
西村 幸生

西村 幸生 について

, 
夏目 紀浩

夏目 紀浩 について

, 
杉江 紀彦

杉江 紀彦 について


出願人/特許権者：
JSR株式会社

JSR株式会社 について


代理人 (3件)： 小島 清路 ,  萩野 義昇 ,  谷口 直也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-311461
公開番号（公開出願番号）：特開2009-134177
出願日： 2007年11月30日
公開日（公表日）： 2009年06月18日
要約：
【課題】液浸露光法等により微細なレジストパターンを形成する際に、欠陥除去剤を用いることによって、現像欠陥を抑制できるパターン形成方法を提供する。【解決手段】本パターン形成方法は、(1)基板上に、酸の作用によりアルカリ可溶性となる樹脂(a)、及び感放射線性酸発生剤(b)を含む感放射線性樹脂組成物を塗布して塗膜を形成し、露光する工程と、(2)前記塗膜上に、欠陥除去剤を塗布して被覆層を形成する工程と、(3)現像する工程と、を備える。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
(1)基板上に、酸の作用によりアルカリ可溶性となる樹脂(a)、及び感放射線性酸発生剤(b)を含む感放射線性樹脂組成物を塗布して塗膜を形成し、露光する工程と、 (2)前記塗膜上に、欠陥除去剤を塗布して被覆層を形成する工程と、 (3)現像する工程と、を備えるパターン形成方法であって、 前記欠陥除去剤は、下記一般式(1-1)で表される繰り返し単位、下記一般式(1-2)で表される繰り返し単位、下記一般式(1-3)で表される繰り返し単位、及び下記一般式(1-4)で表される繰り返し単位のうちの少なくとも1種を含有する樹脂(A)と、溶剤(B)とを含むことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (4件)：
G03F 7/38 ,  G03F 7/40 ,  C08F 20/10 ,  H01L 21/027
FI (5件)：
G03F7/38 511 ,  G03F7/40 502 ,  G03F7/40 501 ,  C08F20/10 ,  H01L21/30 502R
Fターム (26件)：
2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096DA04 ,  2H096EA02 ,  2H096EA03 ,  2H096EA05 ,  2H096EA06 ,  2H096EA07 ,  2H096EA23 ,  2H096FA01 ,  2H096FA05 ,  2H096GA08 ,  2H096HA02 ,  2H096JA03 ,  2H096JA04 ,  4J100AL03R ,  4J100AL08P ,  4J100AM14Q ,  4J100AP01Q ,  4J100BA03P ,  4J100BA56Q ,  4J100BB18P ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100DA04 ,  4J100JA32
引用特許：
審査官引用 (5件)
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