特許
J-GLOBAL ID：200903059606594356

パターン形成方法

発明者：
近藤 丈博

近藤 丈博 について

, 
塩原 英志

塩原 英志 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-244427
公開番号（公開出願番号）：特開2008-066587
出願日： 2006年09月08日
公開日（公表日）： 2008年03月21日
要約：
【課題】簡便かつ低コストに現像欠陥を抑制することが可能な水溶性パターン形成材料を用いたパターン形成方法を提供すること。【解決手段】パターン形成方法は、半導体基板1の主表面上にレジストパターン12を形成する工程と、前記レジストパターン12の上に、酸の存在下で熱架橋性を有する水溶性パターン形成材料を塗布する工程と、前記水溶性パターン形成材料の前記レジストパターンと接する部分に加熱によって架橋膜50を形成する工程と、前記水溶性パターン形成材料の前記架橋膜50以外の部分を、界面活性剤を含んだアルカリ水溶液を用いて除去する工程とを含む。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
半導体基板の主表面上にレジストパターンを形成する工程と、 前記レジストパターンの上に、酸の存在下で熱架橋性を有する水溶性パターン形成材料を塗布する工程と、 前記水溶性パターン形成材料の前記レジストパターンと接する部分に加熱によって架橋膜を形成する工程と、 前記水溶性パターン形成材料の前記架橋膜以外の部分を、界面活性剤を含んだアルカリ水溶液を用いて除去する工程と を含むことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/40
FI (3件)：
H01L21/30 569F ,  H01L21/30 569E ,  G03F7/40 511
Fターム (9件)：
2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096GA08 ,  2H096HA05 ,  2H096JA04 ,  2H096LA30 ,  5F046LA12 ,  5F046LA14
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (9件)
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