特許
J-GLOBAL ID：200903074599747035
電界放出素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西村 教光 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-073985
公開番号（公開出願番号）：特開2000-268707
出願日： 1999年03月18日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：
【要約】【目的】歩留りよく大量生産することができる電界放出素子を提供する。【構成】外囲器2のアノード基板4の内面には、アノード導体5と蛍光体層6からなるアノード7が設けられる。カソード基板3の内面には電界放出素子8が形成されている。電界放出素子8は、導電電極9と凹凸層10とエミッション層11とゲート電極12を有する。凹凸層10は、導電粒子、抵抗粒子、絶縁粒子等からなる。エミッション層11はカーボンナノチューブ等からなる。エミッション層11に覆われた凹凸層10のエッジ部分にゲート電極12による電界が集中し、エミッション層11から電界電子が放出される。電子はゲート電極12を通過してアノード7の蛍光体層6に射突し、これを発光させる。
請求項（抜粋）：
カソード基板と、前記カソード基板の表面に形成された導電電極と、前記導電電極の表面に設けられた凹凸層と、前記凹凸層を被覆して前記導電電極に導通したエミッション層とを有する電界放出素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01J 1/30 F
, H01J 9/02 B
