特許
J-GLOBAL ID：200903087064998416
炭化珪素半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
伊藤 洋二
, 三浦 高広
, 水野 史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-154267
公開番号（公開出願番号）：特開2006-332358
出願日： 2005年05月26日
公開日（公表日）： 2006年12月07日
要約：
【課題】 グラファイト層の除去工程を行わなくても、密着性の高い配線用電極が形成できるSiC半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 グラファイト層5が形成される前に、予めNi膜2の上にNiシリサイド膜3を形成する。このようにすれば、Ni膜2をシリサイド化したときに、グラファイト層5がNiシリサイド膜3と科学的に結合されるようにすることができる。これにより、グラファイト層5とNiシリサイド膜3とを高い密着強度で接合することができる。そして、グラファイト層5の表面にではなく、Niシリサイド膜3の上に配線用電極6を形成することができるため、配線用電極6がNiシリサイド膜3から剥離することもない。このため、グラファイト層5の除去工程を行わなくても、配線用電極6の剥がれを防止することが可能となる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
炭化珪素(1)の表面にNi膜(2)を形成する工程と、
前記Ni膜(2)の上に金属シリサイド膜(3)を形成する工程と、
熱処理を行うことで、前記Ni膜(2)をシリサイド化させ、前記炭化珪素(1)の表面にNiシリサイド膜(4)を形成する工程と、
前記金属シリサイド膜(3)の上に配線用電極(6)を形成する工程とを含んでいることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L21/28 301S
, H01L21/28 301B
4M104AA03
, 4M104BB03
, 4M104BB20
, 4M104BB21
, 4M104BB22
, 4M104BB24
, 4M104BB25
, 4M104BB26
, 4M104BB28
, 4M104CC01
, 4M104DD79
, 4M104DD80
, 4M104DD84
, 4M104FF13
, 4M104HH08
