特許
J-GLOBAL ID：200903074653780736

マスク欠陥修正方法

発明者：
浅野 光代

浅野 光代 について

, 
金光 真吾

金光 真吾 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-068525
公開番号（公開出願番号）：特開2000-267260
出願日： 1999年03月15日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：
【要約】【課題】 マスクに形成された凸欠陥部下の透光性基板への集束イオンビームのイオン注入及び凸欠陥周囲部の透光性基板掘り込みが小さく、レーザ照射によるダメージを小さく、且つマスク修正により引き起こされる像強度変動を抑えて充分なウエハプロセス裕度を確保できるマスク欠陥修正方法を提供する。【解決手段】 マスク1上に生じたマスクパターン膜3の凸欠陥を修正する工程で、まず凸欠陥を集束イオンビームガスアシストエッチングあるいは集束イオンビームスパッタリングによりエッチングする際、凸欠陥のパターンエッジに接する部分はパターン膜材料をすべて削り、凸欠陥の透光性石英基板2に接する方向はビーム照射領域を凸欠陥領域より広げない範囲に設定し、凸欠陥部下又は凸欠陥周囲部の透光性基板に集束イオンビームが達しない程度にパターン膜を残して凸欠陥薄膜9を形成する。その後薄膜9をレーザ照射で除去する。
請求項（抜粋）：
透光性基板上に遮光膜パターンが形成されたフォトマスク又は位相シフタパターンが形成された位相シフトマスクに生じた凸欠陥を修正する工程において、集束イオンビームガスアシストエッチングあるいは集束イオンビームスパッタリングを用いて、前記凸欠陥の前記遮光膜パターンあるいは前記位相シフタパターンのパターンエッジに接する部分は、パターン膜材料をすべて削り、前記凸欠陥の前記パターンエッジに接する部分以外の領域は、ビーム照射領域を前記パターンエッジに接する部分以外の領域より広げない範囲に設定して前記透光性基板に集束イオンビームが達しない程度にパターン膜材料を残して凸欠陥薄膜を形成し、その後、この凸欠陥薄膜をレーザ照射により除去することを特徴とするマスク欠陥修正方法。
IPC (3件)：
G03F 1/08 ,  B23K 26/00 ,  H01L 21/027
FI (4件)：
G03F 1/08 V ,  G03F 1/08 A ,  B23K 26/00 H ,  H01L 21/30 502 W
Fターム (6件)：
2H095BB03 ,  2H095BD32 ,  2H095BD34 ,  2H095BD35 ,  4E068AA00 ,  4E068DA09
引用特許：
審査官引用 (4件)
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