特許
J-GLOBAL ID：200903074661982380
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
油井 透
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-127622
公開番号（公開出願番号）：特開2008-283096
出願日： 2007年05月14日
公開日（公表日）： 2008年11月20日
要約：
【課題】高輝度かつ低順方向電圧を可能とする半導体発光素子を提供する。【解決手段】発光層(5)を有するIII-V族化合物半導体層(11)の第一の主表面側を光取り出し面(11a)とし、III-V族化合物半導体層(11)の第二の主表面側に形成された反射層を有する反射金属膜(10)と、反射金属膜(10)を介して結合された導電性支持基板(20)と、III-V族化合物半導体層(11)と反射金属膜(10)との界面に分散して配置されたオーミックコンタクト接合部(9)とを備え、オーミックコンタクト接合部(9)は、III-V族化合物半導体層(11)にオーミックコンタクト接合するオーミックコンタクト金属層(9a)と、反射金属膜(10)に接して形成され、イオン化傾向が純銀以下である金属が90%以上含まれる酸化防止金属層(9b)とを有する半導体発光素子である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第一導電型の半導体層と第二導電型の半導体層に発光層が挟まれた構造を有するIII-
V族化合物半導体層と、
前記III-V族化合物半導体層の第一の主表面側を光取り出し面とし、前記III-V族化合物半導体層の第二の主表面側に形成され、前記発光層からの光を前記第一の主表面側へと反射させる反射層を有する反射金属膜と、
前記III-V族化合物半導体層に前記反射金属膜を介して結合された導電性支持基板と
、
前記III-V族化合物半導体層と前記反射金属膜との界面に分散して配置されたオーミ
ックコンタクト接合部と、
前記III-V族化合物半導体の第一の主表面側に形成された表面電極と、
前記導電性支持基板の裏面側に形成された裏面電極とを備え、
前記オーミックコンタクト接合部は、前記III-V族化合物半導体層にオーミックコン
タクト接合するオーミックコンタクト金属層と、前記反射金属膜に接して形成され、イオン化傾向が純銀以下である金属が90%以上含まれる酸化防止金属層とを有することを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (15件)：
5F041AA04
, 5F041AA05
, 5F041AA24
, 5F041CA04
, 5F041CA33
, 5F041CA34
, 5F041CA35
, 5F041CA37
, 5F041CA65
, 5F041CA77
, 5F041CA92
, 5F041CA93
, 5F041CA98
, 5F041CB15
, 5F041CB36
出願人引用 (1件)
審査官引用 (6件)
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