特許
J-GLOBAL ID:200903074742722839
高周波インダクタの製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
森下 武一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-001354
公開番号(公開出願番号):特開平11-204336
出願日: 1998年01月07日
公開日(公表日): 1999年07月30日
要約:
【要約】【課題】 小型で信頼性が高く、良好な特性を有する高周波インダクタを得る。【解決手段】 絶縁基板2の表面に設けた引出し導体パターン4は絶縁層5により被覆され、該絶縁層5上に形成されたコイル導体パターン3の中心に位置する端部は、ビアホール6により引出し導体パターン4に接続されている。引出し導体パターン4は電極8に接続され、コイル導体パターン3の引出し部3aは、電極9に接続されている。コイル導体パターン3は外装保護層7により覆われている。絶縁層5は、平均粒径が0.1〜5.0μmで、軟化点が700〜1050°Cの温度範囲にある珪酸塩ガラス粉末を感光性絶縁体ペーストを焼成してなる。外装保護層7は、平均粒径が0.1〜5.0μmで、表面積対体積比が1.0m2/cc以上であり、かつ、軟化点が700〜1050°Cの温度範囲にある珪酸塩ガラス粉末を、有機ビヒクル中に分散してなる。
請求項(抜粋):
絶縁基板上に支持されたコイル導体パターンを外装保護膜で被覆した高周波インダクタであって、前記外装保護膜は、平均粒径が0.1〜5.0μmで、表面積対体積比が1.0m2/cc以上であり、かつ、軟化点が700〜1050°Cの温度範囲にある珪酸塩ガラス粉末が有機バインダ、添加剤からなる有機ビヒクル中に分散されてなる絶縁体ペーストからなること、を特徴とする高周波インダクタ。
IPC (5件):
H01F 17/00
, H01B 3/00
, H01B 3/08
, H01F 27/02
, H01F 27/32
FI (6件):
H01F 17/00 B
, H01F 17/00 D
, H01B 3/00 A
, H01B 3/08 A
, H01F 27/32 Z
, H01F 15/02 K
引用特許: