高熱伝導性Si3N4焼結体及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本正緒
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-031009
公開番号（公開出願番号）：特開平11-314969
出願日： 1999年02月09日
公開日（公表日）： 1999年11月16日
要約：

【要約】【課題】 Si粉末を原料とする反応焼結法によって、優れた強度特性と共に、高い熱伝導性を有するSi3N4焼結体を安価に提供する。【解決手段】酸素量1重量%以下のSi粉末に、Y、Yb又はSmの酸化物粉末1〜20重量%を混合し、その成形体を窒素中1400°C以下で窒化処理した後、窒素中1700〜1950°Cで焼結する。この方法により、熱伝導率70W/mK以上、3点曲げ強度600MPa以上のSi3N4焼結体が得られる。更に熱伝導率を向上させるため、Si粉末の1〜10重量%の炭素を含む還元性コーティング剤を原料粉末に添加混合し、窒化処理前に、真空中か又は窒素含有雰囲気中200〜800°Cの温度で還元熱処理できる。

請求項（抜粋）：

Siの反応焼結によるSi3N4焼結体であって、Y、Yb、Smの少なくとも1種の元素の化合物を、その酸化物Ln2O3(ただし、Ln=Y、Yb、又はSm)に換算して0.6〜13重量%含み、Si3N4結晶粒子中の酸素含有量が1重量%以下であって、相対密度が85〜99.9%の範囲にあり、熱伝導率が70W/mK以上で、3点曲げ強度が600MPa以上であることを特徴とするSi3N4焼結体。

IPC (3件)：

C04B 35/584 , C04B 35/591 , C04B 35/64

FI (4件)：

C04B 35/58 102 C , C04B 35/58 102 V , C04B 35/64 C , C04B 35/64 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

高熱伝導性材料およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-077845 出願人：京セラ株式会社
緻密質窒化珪素焼結体
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-080297 出願人：秩父小野田株式会社
高熱伝導性窒化けい素焼結体およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-344237 出願人：株式会社東芝

全件表示

前のページに戻る