特許
J-GLOBAL ID：200903074751453522

分子線エピタキシ法

発明者：
スチュアート エドワード フーパー

スチュアート エドワード フーパー について

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アリスター ヘンダーソン キーン

アリスター ヘンダーソン キーン について

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ジェフリー ダガン

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出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-062656
公開番号（公開出願番号）：特開平10-265298
出願日： 1998年03月13日
公開日（公表日）： 1998年10月06日
要約：
【要約】【課題】 分子線エピタキシによりIII族窒化物材料をエピタキシャルに成長させる改良方法を提供する。【解決手段】 分子線エピタキシによってIII族窒化物材料の層を基板上に成長させる方法は、真空チャンバ内に基板を配置する工程と、真空チャンバ内の圧力を分子線エピタキシによるエピタキシャル成長に適切な圧力に減少させる工程と、アンモニアを第1の供給管の出口を通して真空チャンバ内に供給し、アンモニアを基板に向けてフローさせる工程と、III族元素を元素形態で第2の供給管の出口を通して真空チャンバ内に供給し、III族元素を基板の方にフローさせ、III族窒化物を含有する層を分子線エピタキシによって基板上に成長させる工程とを包含する。この方法において第1の供給管の出口は、第2の供給管の出口よりも基板により近接して配置されている。
請求項（抜粋）：
分子線エピタキシによってIII族窒化物材料の層を基板上に成長させる方法であって、(i)真空チャンバ内に基板を配置する工程と、(ii)該真空チャンバ内の圧力を分子線エピタキシによるエピタキシャル成長に適切な圧力に減少させる工程と、(iii)アンモニアを第1の供給管の出口を通して該真空チャンバ内に供給し、該アンモニアを該基板に向けてフローさせる工程と、(iv)III族元素を元素形態で第2の供給管の出口を通して該真空チャンバ内に供給し、該III族元素を該基板の方にフローさせ、これによって、III族窒化物を含有する層を分子線エピタキシによって該基板上に成長させる工程と、を包含し、該第1の供給管の該出口が、該第2の供給管の該出口よりも該基板により近接して配置されている、方法。
IPC (3件)：
C30B 29/38 ,  C30B 23/08 ,  H01L 21/203
FI (3件)：
C30B 29/38 D ,  C30B 23/08 M ,  H01L 21/203 M
引用特許：
審査官引用 (4件)
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