特許
J-GLOBAL ID：200903074785425463

薄膜パターンの形成方法及びデバイスの製造方法、電気光学装置及び電子機器

発明者：
平井 利充

平井 利充 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 西 和哉 ,  志賀 正武 ,  青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-070834
公開番号（公開出願番号）：特開2004-314056
出願日： 2004年03月12日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
要約：
【課題】断線等の発生を抑制できる薄膜パターンの形成方法を提供する。【解決手段】本発明の薄膜パターンの形成方法は、機能液を基板上に配置することにより薄膜パターンを形成する方法であって、基板上に薄膜パターンに応じたバンクB、Bを形成するバンク形成工程S1と、バンクB間の残渣を除去する残渣処理工程S2と、残渣を除去されたバンクB、B間に機能液を配置する材料配置工程S4とを有する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
機能液を基板上に配置することにより薄膜パターンを形成する方法であって、 前記基板上に前記薄膜パターンに応じたバンクを形成するバンク形成工程と、 前記バンク間の残渣を除去する残渣処理工程と、 前記残渣が除去された前記バンク間に前記機能液を配置する材料配置工程とを有することを特徴とする薄膜パターンの形成方法。
IPC (12件)：
B05D1/32 ,  B05D3/04 ,  B05D3/06 ,  B05D7/00 ,  G02F1/13 ,  G09F9/00 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H05B33/14
FI (16件)：
B05D1/32 Z ,  B05D3/04 C ,  B05D3/06 102Z ,  B05D7/00 H ,  G02F1/13 101 ,  G09F9/00 342Z ,  H01L21/28 A ,  H01L21/288 Z ,  H05B33/14 A ,  H01L29/78 612C ,  H01L29/78 612D ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 627C ,  H01L29/78 617J ,  H01L29/78 612A ,  H01L21/88 B
Fターム (135件)：
2H088FA18 ,  2H088FA24 ,  2H088FA30 ,  2H088HA01 ,  2H088HA02 ,  2H088HA06 ,  2H088HA08 ,  3K007AB08 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007DB03 ,  3K007FA00 ,  3K007GA00 ,  4D075BB20Y ,  4D075BB45Y ,  4D075BB46Y ,  4D075BB49Y ,  4D075BB66Y ,  4D075BB76Y ,  4D075CA22 ,  4D075CA36 ,  4D075CB38 ,  4D075DA04 ,  4D075DA06 ,  4D075DB01 ,  4D075DB13 ,  4D075DB14 ,  4D075DB31 ,  4D075DC19 ,  4D075DC21 ,  4D075DC24 ,  4D075EA07 ,  4D075EA10 ,  4D075EB13 ,  4D075EB16 ,  4D075EB22 ,  4D075EB32 ,  4D075EB39 ,  4D075EB43 ,  4D075EB47 ,  4D075EC10 ,  4M104AA01 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB28 ,  4M104BB36 ,  4M104DD21 ,  4M104DD22 ,  4M104DD51 ,  4M104DD78 ,  4M104GG09 ,  5F033GG00 ,  5F033GG03 ,  5F033GG04 ,  5F033HH00 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH28 ,  5F033JJ38 ,  5F033KK00 ,  5F033KK07 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033KK13 ,  5F033KK14 ,  5F033KK28 ,  5F033MM01 ,  5F033MM19 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ54 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ91 ,  5F033QQ96 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR23 ,  5F033RR27 ,  5F033SS03 ,  5F033VV06 ,  5F033XX21 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD12 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE05 ,  5F110EE23 ,  5F110EE42 ,  5F110EE47 ,  5F110FF03 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110GG45 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK05 ,  5F110HK06 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK35 ,  5F110HK41 ,  5F110HL07 ,  5F110NN16 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ09 ,  5G435AA14 ,  5G435AA17 ,  5G435BB05 ,  5G435BB12 ,  5G435CC09 ,  5G435KK05 ,  5G435KK09
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 米国特許第5132248号明細書
審査官引用 (6件)
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