特許

J-GLOBAL ID：200903074785774247

バリア膜形成用材料及びそれを用いたパターン形成方法

発明者： 遠藤 政孝 ,  笹子 勝
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (10件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-361058
公開番号（公開出願番号）：特開2005-275365
出願日： 2004年12月14日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：

【課題】 液浸リソグラフィに用いる液浸用の液体によるレジスト膜への影響を防止して、良好な形状を有する微細化パターンを得られるようにする。 【解決手段】 基板101の上に化学増幅型レジストよりなるレジスト膜102を形成する。続いて、レジスト膜102の上に、レジスト膜中の成分が液浸用の液体に溶出すること又は液浸用の液体がレジスト膜102中に浸透することを防止するバリア膜103を形成する。その後、バリア膜103の上に液浸用の液体104を配した状態で、バリア膜103を介してレジスト膜102に露光光105を選択的に照射してパターン露光を行なう。続いて、バリア膜103を除去した後、パターン露光が行なわれたレジスト膜102に対して現像を行なうことにより、レジスト膜102からレジストパターン102aを形成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

化学増幅型レジストよりなるレジスト膜の上に液体を配して前記レジスト膜を露光する際に、前記レジスト膜と前記液体との間にバリア膜を形成するためのバリア膜形成用材料であって、 前記バリア膜は、前記レジスト膜中の成分が前記液体に溶出すること又は前記液体が前記レジスト膜中に浸透することを防止することを特徴とするバリア膜形成用材料。

IPC (2件)：

G03F7/11 ,  H01L21/027

FI (2件)：

G03F7/11 501 ,  H01L21/30 575

Fターム (14件)：

2H025AA00 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025DA02 ,  2H025DA03 ,  2H025FA01 ,  2H025FA03 ,  2H025FA17 ,  5F046JA22

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 反射防止膜材料及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-284281   出願人：信越化学工業株式会社
• 液浸露光プロセス用レジスト保護膜形成用材料、該保護膜形成材料からなるレジスト保護膜、および該レジスト保護膜を用いたレジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-356963   出願人：東京応化工業株式会社
• 液浸リソグラフィーに用いるレジスト積層体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-010900   出願人：ダイキン工業株式会社