特許
J-GLOBAL ID：200903074786875110

窒化物半導体基板、及びその成長方法

発明者：
成田 准也

成田 准也 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-264740
公開番号（公開出願番号）：特開2003-077841
出願日： 2001年08月31日
公開日（公表日）： 2003年03月14日
要約：
【要約】【課題】基板上に保護膜を用いること無く窒化物半導体をエピタキシャル成長させる窒化物半導体基板の製造方法において、量産性及び歩留まりを向上させ、かつ貫通転位を低減させた結晶性のよい窒化物半導体基板を得ることを目的とする。【解決手段】基板上に保護膜を部分的に形成し、熱処理をすることで基板の露出部に窒素含有領域を形成する。その後、保護膜を除去し、窒化物半導体を成長させる。ここで、窒化物半導体は基板上において窒素含有領域より選択的に成長が進む。さらに連続反応させることで表面が鏡面かつ平坦な窒化物半導体層を有する窒化物半導体基板を得る。
請求項（抜粋）：
部分的に窒素含有領域を表面上に有する基板と、前記基板の窒素含有領域を成長界面としてエピタキシャル成長した窒化物半導体層とを備えたことを特徴とする窒化物半導体基板。
IPC (2件)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/38
FI (2件)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/38 D
Fターム (22件)：
4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB01 ,  4G077EE01 ,  4G077EE02 ,  4G077EE05 ,  4G077EE07 ,  4G077TC12 ,  4G077TC16 ,  4G077TC17 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD15 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA12 ,  5F045DA52 ,  5F045DB02 ,  5F045DB04 ,  5F045HA22
引用特許：
審査官引用 (4件)
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