特許
J-GLOBAL ID:200903074786878143
水素化物含有量の決定方法および装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
浅村 皓 (外3名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-587173
公開番号(公開出願番号):特表2002-532683
出願日: 1999年11月26日
公開日(公表日): 2002年10月02日
要約:
【要約】本発明は、基板上に1以上の層を含む測定物体のその導電性基板(2)中の水素化物含有量を決定する方法に関する。この方法は以下の段階、すなわち、測定物体の直ぐ近くに第1の電磁交番磁界を発生させて、前記電磁交番磁界が少なくとも部分的に基板(2)を透過するように、また第1の電磁交番磁界に逆作用する第2の電磁交番磁界を発生させる渦電流をその基板に発生させるようにする段階と、少なくとも2つの異なる周波数で第1の電磁交番磁界をセッティングする段階と、第1および第2の電磁交番磁界の相互作用で形成された複合電磁交番磁界を前記周波数で測定する段階と、前記測定により得たデータ、および測定物体の電磁特性の少なくとも幾つかに関する情報を使用して、基板(2)の水素化物含有量を決定する段階とを含む。本発明はまたこの方法を実行する装置に関する。
請求項(抜粋):
測定物体の導電性基板(2)の水素化物含有量を決定する方法であって、 測定物体の直ぐ近くに第1の電磁交番磁界を発生させる段階にして、前記電磁交番磁界が少なくとも部分的に基板(2)を透過して、かつ第1の電磁交番磁界に逆作用する第2の電磁交番磁界を発生させる渦電流をこの基板に生じるように前記第1の電磁交番磁界を発生させる段階と、 少なくとも2つの異なる周波数で第1の電磁交番磁界をセッティングする段階と、 第1および第2の電磁交番磁界の相互作用で形成された複合電磁交番磁界を前記周波数で測定する段階と、 前記測定により得たデータ、および測定物体の電磁特性の少なくとも幾つかに関する情報を使用して、基板(2)の水素化物含有量を決定する段階と、を含む水素化物含有量の決定方法。
Fターム (15件):
2G053AA06
, 2G053AB07
, 2G053AB21
, 2G053AB27
, 2G053BA02
, 2G053BA10
, 2G053BA13
, 2G053BB11
, 2G053BC02
, 2G053BC11
, 2G053BC14
, 2G053CA03
, 2G053CA17
, 2G053CA18
, 2G053CB25
引用特許:
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