半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡田敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-146105
公開番号（公開出願番号）：特開平8-339998
出願日： 1995年06月13日
公開日（公表日）： 1996年12月24日
要約：

【要約】【目的】反射防止膜としての機能を果たしながら、加工上のトラブルを回避して良好な微細配線パターンの形成を可能にする。【構成】 WSi2膜(22)上の反射防止膜として、オキシナイトライド膜(23)膜を使用した。これにより、密着性が向上し、熱処理工程における反射防止膜の剥離を防止することができる。このとき、反射防止膜として最低の反射率となるように膜厚を選ぶ必要があるが、レジスト露光の光源として良く用いられているi線(波長365ナノメートル)の場合には、を約350Åに選ぶと反射率が最小になることがシミュレーションによって明らかとなった。

請求項（抜粋）：

高融点金属シリサイド膜上に反射防止膜を形成し、該反射防止膜上にレジストを塗布し、露光・現像する工程を含む半導体装置の製造方法において、前記反射防止膜としてオキシナイトライド膜を使用することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/027 , H01L 21/318

FI (4件)：

H01L 21/88 R , H01L 21/318 C , H01L 21/30 574 , H01L 21/88 Q

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平2-237108
配線パターンの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-216754 出願人：ソニー株式会社
特開平1-253256

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