特許
J-GLOBAL ID：200903074812679367

半導体装置の製造方法

発明者：
田中 泰明

田中 泰明 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-323216
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134497
出願日： 2000年10月23日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：
【要約】【課題】 成膜の初期段階におけるホウ素やリンのような不純物の偏析を抑制して、膜厚方向において均一な組成の膜質を有するBPSG膜などを成膜することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 成膜ガスを混合するガス混合器17と、成膜室11Aに混合ガスを供給するシャワーヘッド部14との間に、ガスの流路を切り換え可能な第1の三方バルブ18が設けられる。第1の三方バルブ18には、第2の三方バルブ20などを介して真空ポンプ23が連結される。BPSG膜の成膜を行う場合、その成膜を開始しようとする時から所定時間が経過するまで、ガス混合器17からの混合ガスは、第1の三方バルブ18および第2の三方バルブ20を通して真空ポンプ23に排気される。その後、第1の三方バルブ18を切り換えることにより、混合ガスがシャワーヘッド部14を通して成膜室11Aに導入される。
請求項（抜粋）：
複数種類の成膜ガスが供給される成膜室において少なくとも1種類の不純物を含む膜の成膜を行う半導体装置の製造方法であって、成膜を開始しようとする時から所定時間が経過するまで、前記成膜ガスを前記成膜室に供給させることなく排気することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/316 ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/768
FI (5件)：
H01L 21/316 X ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/283 G ,  H01L 21/31 B ,  H01L 21/90 P
Fターム (87件)：
4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030AA20 ,  4K030BA29 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104DD07 ,  4M104DD19 ,  4M104DD63 ,  4M104DD75 ,  4M104EE05 ,  4M104EE12 ,  4M104EE15 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104GG16 ,  4M104HH10 ,  4M104HH20 ,  5F033JJ04 ,  5F033JJ05 ,  5F033KK01 ,  5F033KK04 ,  5F033KK28 ,  5F033LL04 ,  5F033MM07 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ18 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ74 ,  5F033RR06 ,  5F033RR13 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033SS02 ,  5F033SS03 ,  5F033SS04 ,  5F033SS12 ,  5F033TT02 ,  5F033TT08 ,  5F033XX15 ,  5F033XX28 ,  5F033XX31 ,  5F045AA03 ,  5F045AB32 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AE25 ,  5F045AF03 ,  5F045BB04 ,  5F045BB16 ,  5F045CB05 ,  5F045DP03 ,  5F045EE02 ,  5F045EE04 ,  5F045EE05 ,  5F045EF05 ,  5F045GB07 ,  5F045GB11 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC04 ,  5F058BF03 ,  5F058BF04 ,  5F058BF23 ,  5F058BF25 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF32 ,  5F058BF33 ,  5F058BF37 ,  5F058BG01 ,  5F058BG02 ,  5F058BJ02
引用特許：
審査官引用 (4件)
  • 酸化物薄膜の製造装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-053189   出願人：株式会社東芝
  • 半導体製造装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-174611   出願人：株式会社日立製作所
  • ガス導入配管装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-092854   出願人：株式会社フロンテック, 大阪酸素工業株式会社, 株式会社本山製作所
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