特許

J-GLOBAL ID：200903074956177781

半導体装置の製造方法並びに欠陥検査データ処理方法及びその装置

発明者： 田中 麻紀 ,  前田 俊二 ,  野口 稔 ,  岡部 隆史 ,  高木 裕治 ,  宍戸 千絵
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-287779
公開番号（公開出願番号）：特開2003-100825
出願日： 2001年09月20日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：

【要約】【課題】半導体装置の製造ラインにおいて、不良の原因となる工程および製造装置を早急に推定若しくは確定して対策を施して安定で高い歩留まりを実現する半導体装置の製造方法並びに欠陥検査データ処理方法及びその装置を提供することにある。【解決手段】本発明は、過去に検査したウェハの検査結果と、欠陥が異常発生したウェハの欠陥分布の類似度を定量評価し、得られた類似度のデータ列の周期性を解析し、この解析結果と、各製造装置の着工方法との関係を評価し、不良発生原因工程および装置を推定若しくは確定することにある。

請求項（抜粋）：

一つ若しくは複数の製造装置に構成される細製造工程を複数連ねて構成される製造ラインを用いて半導体装置を製造する半導体装置の製造方法において、前記製造ラインにおいて所定の細製造工程までプロセス処理された半導体基板に発生した欠陥若しくは欠陥候補について検査装置を用いて検査する検査工程を有し、該検査工程で検査された検査結果に基づいて欠陥の発生原因を究明するための半導体基板に対する欠陥分布を作成する欠陥分布作成過程と、該欠陥分布作成過程で作成された半導体基板の欠陥分布の特徴量を定量評価する定量評価過程と、該定量評価過程で定量評価された特徴量の着工製造装置別のデータを、着工細製造工程毎に作成するデータ作成過程と、該データ作成過程で作成された各着工細製造工程毎における着工製造装置別のデータの周期性を評価して欠陥の発生原因の製造装置を推定する発生原因推定過程とを有する検査結果収集・解析工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

Fターム (9件)：

4M106AA01 ,  4M106CA39 ,  4M106DA15 ,  4M106DJ14 ,  4M106DJ17 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ20 ,  4M106DJ27 ,  4M106DJ38

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 電子デバイス検査システムおよび電子デバイスの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-050308   出願人：株式会社日立製作所
• 異常変動予測方法及び異常変動予測装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-184787   出願人：松下電器産業株式会社
• 部品検査システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-307104   出願人：日本電子株式会社, 日本電子システムテクノロジー株式会社
• 半導体装置の検査装置と検査方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-185111   出願人：株式会社東芝