特許
J-GLOBAL ID：200903074974378298
基板処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大森 純一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-173447
公開番号（公開出願番号）：特開2004-282099
出願日： 2004年06月11日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：
【課題】 基板上に絶縁膜を厚くかつより平坦に形成することができる基板処理装置の提供。【解決手段】 保持板51上には、保持板51により保持されたウエハWの表面に紫外線を照射する紫外線照射ランプ53が配置されている。これらの一側には、保持板51と紫外線照射ランプ53との間隙に向けて気体を噴出する噴出口54を有する噴出管55が配置されている。噴出管55には切り替え弁56が接続されている。切り替え弁56は制御部57の制御のもとで窒素ガス、酸素ガスのうち一方を噴出管55に供給するための切り替えを行う。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
基板を保持する保持板と、
前記保持板上に配置され、前記基板の表面に紫外線を照射する紫外線照射ランプと、
前記保持板上に保持された基板と前記紫外線照射ランプとの間を不活性ガス雰囲気にする手段と、
少なくとも前記保持板上に保持された基板の表面上の不活性ガス雰囲気を酸素雰囲気に切り替える手段と
を具備することを特徴とする基板処理装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (12件)：
5F045AB32
, 5F045AC11
, 5F045AC15
, 5F045EB19
, 5F045EE12
, 5F045EE14
, 5F045EE17
, 5F045EE18
, 5F045EK11
, 5F045EK19
, 5F045EM10
, 5F045HA16
出願人引用 (2件)
-
層間絶縁膜及び表示装置の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平9-294461
出願人：キヤノン株式会社
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処理システム
公報種別：公開公報
出願番号：特願平5-307468
出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社
審査官引用 (3件)
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