層間絶縁膜及び表示装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山下穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-294461
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135497
出願日： 1997年10月27日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：

【要約】【課題】層間絶縁膜上の凹凸を著しく緩和及び平坦化することにより、多層金属配線の信頼性や表示装置の電気的特性を向上させる。【解決手段】 SOG膜を用いる層間絶縁膜の形成方法において、第1の無機SOG膜7上に、酸素成分を含む雰囲気中で紫外光8を発光させ、オゾン及び活性酸素原子を生成、照射する工程と、さらにその上に第2の無機SOG膜9を形成する工程と、を有することを特徴とした層間絶縁膜の製造方法。

請求項（抜粋）：

SOG膜を用いる層間絶縁膜の形成方法において、第1の無機SOG膜上に、酸素成分を含む雰囲気中で紫外光を照射し、オゾン及び活性酸素原子を生成、照射する工程と、さらにその上に第2の無機SOG膜を形成する工程と、を有することを特徴とした層間絶縁膜の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 , G02F 1/136 , H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/316 G , H01L 21/316 P , G02F 1/136 , H01L 21/90 M

引用特許：

審査官引用 (5件)

処理方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-307132 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社
半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-045510 出願人：トヨタ自動車株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-124445 出願人：日本電信電話株式会社

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