特許
J-GLOBAL ID:200903075041146112

レーザ光源およびレーザ投射装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  大塩 竹志
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-148429
公開番号(公開出願番号):特開2004-157505
出願日: 2003年05月26日
公開日(公表日): 2004年06月03日
要約:
【課題】レーザ光源の安定化、高出力化を図り、装置を小型・軽量化する。【解決手段】LiTaO3基板1に分極反転層3を形成した後、光導波路を形成する。このように形成された光波長変換素子を低温アニールすることで高温熱処理時に生じた屈折率上昇を低下させた安定プロトン交換層8aを形成する。これにより位相整合波長が一定で高調波出力の変動がなくなる。【選択図】 図7
請求項(抜粋):
レーザ光を出射する分布帰還型半導体レーザと、 該レーザ光を増幅する半導体レーザアンプと、 該増幅されたレーザ光を受け取り、高調波を生成する光波長変換素子であって、周期状分極反転構造を有している光波長変換素子と、 を備えているレーザ光源。
IPC (1件):
G02F1/37
FI (1件):
G02F1/37
Fターム (11件):
2K002AA01 ,  2K002AA04 ,  2K002AB12 ,  2K002BA01 ,  2K002CA03 ,  2K002DA03 ,  2K002EA04 ,  2K002FA26 ,  2K002FA27 ,  2K002GA07 ,  2K002HA20
引用特許:
審査官引用 (8件)
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