特許

J-GLOBAL ID：200903075071638826

半導体装置の製造方法

発明者： 村岡 浩一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-335708
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156066
出願日： 1999年11月26日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：

【要約】【課題】 膜中の酸素等、他の原子の濃度及び分布、更には膜厚まで制御されて、膜中の欠陥が少ないシリコン窒化膜を有し、ひいてはリーク電流の少ない半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明は、半導体基板4上にシリコン窒化膜を形成するにあたり、酸素、塩素、フッ素から選ばれる少なくとも一種の元素を含む化合物の分子8と、シリコンを含む化合物の分子9と、励起された窒素7とがそれぞれ独立して供給され、半導体基板4表面上で初めて混合されることことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

酸素、塩素、フッ素から選ばれる少なくとも一種の元素を含む化合物の分子と、シリコンを含む化合物の分子と、励起された窒素とがそれぞれ独立して供給され半導体基板表面上で混合されて前記半導体基板上に窒素を含む絶縁膜を形成する工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/318 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/31

FI (3件)：

H01L 21/318 B ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/31 C

Fターム (56件)：

4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030AA24 ,  4K030BA29 ,  4K030BA37 ,  4K030BB03 ,  4K030BB13 ,  4K030CA04 ,  4K030DA03 ,  4K030EA06 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030JA10 ,  4K030KA23 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F045AA08 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AE21 ,  5F045AF03 ,  5F045BB16 ,  5F045CB05 ,  5F045DC63 ,  5F045DP03 ,  5F045EB02 ,  5F045EB08 ,  5F045EE14 ,  5F045EF04 ,  5F045EF08 ,  5F045EH18 ,  5F045HA16 ,  5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BC08 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF24 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF34 ,  5F058BF37 ,  5F058BF39 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ03 ,  5F058BJ10

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開平4-297033
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-215159   出願人：富士通株式会社
• 絶縁膜およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-310137   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-283781   出願人：株式会社東芝