特許
J-GLOBAL ID：200903075080302075

半導体装置の製造方法及び製造装置

発明者：
小谷 隆文

小谷 隆文 について

, 
三由 裕一

三由 裕一 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (2件)： 宮井 暎夫 ,  伊藤 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-064979
公開番号（公開出願番号）：特開2004-273912
出願日： 2003年03月11日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：
【課題】枚葉式処理装置において、半導体基板を高温の薬液で処理する際、半導体基板上の面内で処理薬液の温度分布が生じてしまい、基板へのエッチングレートが異なるなどのエッチングの面内均一性等、基板面内での薬液に対する反応均一性を低下させてしまうという問題があった。【解決手段】処理チャンバー3の外周に抵抗加熱方式のヒーター9を配置し、処理チャンバー3内の雰囲気を熱し、半導体基板1全体を薬液温度(HF:50°C)と同じ50°C相当にまで上昇させる。この後、自回転(500rpm以上)する半導体基板1上に薬液ノズル4から薬液を吐出する。このように薬液処理前に半導体基板1全体を薬液温度相当にまで上昇させることにより、薬液処理時の基板1上の薬液温度の低下を抑え、基板面内の薬液温度のばらつきをなくし、薬液との基板面内での反応均一性を向上できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面に常温より高い所定の処理温度の薬液を供給することにより前記半導体基板を薬液処理し、 前記薬液処理する直前に、前記半導体基板を前記処理温度に昇温させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L21/304 ,  H01L21/306
FI (3件)：
H01L21/304 643A ,  H01L21/304 651M ,  H01L21/306 J
Fターム (8件)：
5F043DD05 ,  5F043DD07 ,  5F043DD13 ,  5F043EE07 ,  5F043EE08 ,  5F043EE10 ,  5F043EE12 ,  5F043EE37
引用特許：
審査官引用 (3件)

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