特許
J-GLOBAL ID：200903075088701254
プラズマ処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田宮 寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-155153
公開番号（公開出願番号）：特開平8-325739
出願日： 1995年05月30日
公開日（公表日）： 1996年12月10日
要約：
【要約】【目的】 プラズマ拡散容器の温度を均一に調整して壁面の堆積膜を抑制し、プラズマ拡散容器の温度制御と磁場形成機構の温度制御を独立に行って磁石の熱による劣化を抑制する。【構成】 プラズマ生成機構11,19 とプラズマ拡散容器12とプラズマ拡散容器の温度を調整する第1の温度調整機構23と磁場形成機構17,18 と真空排気機構21とガス導入機構と基板保持機構14とを備え、磁場形成機構は永久磁石とヨークを含み、かつ永久磁石とプラズマ拡散容器との間に断熱部を設けると共に、少なくとも永久磁石の温度を調整する第2の温度調整機構24,25 を設ける。プラズマ拡散容器の温度調整と永久磁石の温度調整が独立に行われる。
請求項（抜粋）：
プラズマ生成機構と、前記プラズマ生成機構により生成されたプラズマを拡散させる真空容器と、前記真空容器の温度を調整する第1の温度調整機構と、前記真空容器の内側壁面に沿って磁場を発生する磁場形成機構と、前記真空容器の内部を減圧状態に保持する排気機構と、前記真空容器の内部にガスを導入するガス導入機構と、前記真空容器内に設置される基板保持機構とを備えたプラズマ処理装置において、前記磁場形成機構は永久磁石および磁路部を含みかつ前記永久磁石と前記真空容器との間に断熱部が設けられると共に、前記永久磁石の温度を調整する第2の温度調整機構を設け、前記第1の温度調整機構による前記真空容器の温度調整と前記第2の温度調整機構による前記永久磁石の温度調整を独立に行うようにしたことを特徴としたプラズマ処理装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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