特許
J-GLOBAL ID：200903075111635442

電力半導体装置

発明者：
小川 健

小川 健 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (4件)： 高橋 省吾 ,  稲葉 忠彦 ,  村上 加奈子 ,  中鶴 一隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-336769
公開番号（公開出願番号）：特開2009-158787
出願日： 2007年12月27日
公開日（公表日）： 2009年07月16日
要約：
【課題】溶融した半田が流動することによる電力半導体素子の位置ずれおよび溶融した半田やフラックスの水平方向への飛散を防止し生産性の高い電力半導体装置を提供する。【解決手段】放熱板の一方主面に絶縁層を介し載置される金属パターン上に電力半導体素子が半田接合され、前記金属パターンは半田レジストによって電力半導体素子搭載領域と配線中継領域とに隔てられ、前記半田レジストは溶融半田の逃げ部分を有する形状であることを特徴とする電力半導体装置である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
表面側および裏面側に電極を有する少なくとも一つの電力半導体素子と、放熱板と、絶縁層と、電極端子と、前記絶縁層を介して前記放熱板の一方主面に載置される金属パターンと、前記金属パターンを、電力半導体素子搭載領域と配線中継領域とに隔てる半田レジストとを有し、前記電力半導体素子の裏面側電極は前記電力素子搭載領域に半田接合され、 前記電極端子は前記配線中継領域または前記電力半導体素子の表面側電極とボンディングワイヤにて電気的に接続され、前記半田レジストは、溶融半田の逃げ部分を有する形状であることを特徴とする電力半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 25/07 ,  H01L 25/18
FI (1件)：
H01L25/04 C
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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