特許
J-GLOBAL ID：200903075114967861

基板の製造方法

発明者：
冨岡 聡

冨岡 聡 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-128325
公開番号（公開出願番号）：特開2001-313255
出願日： 2000年04月27日
公開日（公表日）： 2001年11月09日
要約：
【要約】【課題】 クラックが少ない良質な基板を得ることができる基板の製造方法を提供する。【解決手段】 サファイアよりなる厚さ100μm以下の成長用基体11の上に、成長用基体11を加熱しつつGaNよりなる基板12を成長させ、放冷する。その際、成長させる基板12の厚さを、200μm以上でかつ成長用基体11と基板12との熱膨張率の差により生じる基板12の曲率が0.03cm-1以下となるようにする。これにより、基板12が成長後の放冷により反ってしまっても、基板12におけるクラックの発生が防止され、良質な基板12が得られる。
請求項（抜粋）：
3B族元素のうちの少なくとも1種と5B族元素のうちの少なくとも窒素(N)とを含む窒化物系III-V族化合物よりなる基板の製造方法であって、前記基板を、厚さ100μm以下の成長用基体の上に、200μm以上の厚さでかつ成長用基体と基板との熱膨張率の差により生じる基板の曲率が0.03cm-1以下となるように成長させることを特徴とする基板の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/34
FI (2件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/34
Fターム (36件)：
4K030AA02 ,  4K030AA05 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030AA20 ,  4K030BA01 ,  4K030BA03 ,  4K030BA08 ,  4K030BA09 ,  4K030BA16 ,  4K030BA21 ,  4K030BA24 ,  4K030BA27 ,  4K030BA29 ,  4K030BA38 ,  4K030BA55 ,  4K030BA56 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030DA08 ,  4K030JA01 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC01 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AF02 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF11 ,  5F045BB11 ,  5F045DA69 ,  5F045HA12
引用特許：
審査官引用 (4件)
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