特許
J-GLOBAL ID：200903075144490555
集積回路の電極構造とその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
社本 一夫 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-529033
公開番号（公開出願番号）：特表2001-505367
出願日： 1997年12月19日
公開日（公表日）： 2001年04月17日
要約：
【要約】強誘電体電子装置(80、317C)用の電極(79、329)をSiO2分離層(77、324)に接して形成するために、厚さ約25Åと500Åの間のチタン等の接着層(98、326)を堆積し、次に接着層より少なくとも10倍厚い白金等の貴金属の層(81、328)を堆積する。次に電極を、接着層の最低酸化物共晶温度より高い温度でアニールする。電極を、5分以下でアニール温度に達するようなランプ速度でアニーリング炉中に移動させる。接着層の相対厚さとアニールの迅速なランプアップとによって、全てのチタンは、白金を通って拡散できる前に酸化物中に固定され、かつ、電極を下安定にし得る、チタンのルチル相の形成とボイド及びヒロックのような欠陥の白金中の形成を防ぐことができる。
請求項（抜粋）：
合計厚さ1ミクロン未満を有する薄膜電極(79、329)を作製する方法であって:基板(77、324)を提供する工程と;前記基板に接して、チタンを含む接着層(98、326)を形成する工程と;前記接着層に接して、前記接着層の厚さより少なくとも8倍厚い貴金属の層(81、328)を形成する工程と;を含み、前記基板に接する前記電極を、622°C以上の温度で、5分と45分の間アニールする工程を特徴とする前記方法。
IPC (6件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/822
, H01L 21/8242
, H01L 27/04
, H01L 27/10 451
, H01L 27/108
H01L 21/88 R
, H01L 27/10 451
, H01L 27/04 C
, H01L 27/10 651
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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