特許

J-GLOBAL ID：200903075151202824

半導体装置

発明者： 加藤 功 ,  新川 勝彦 ,  前原 正孝 ,  塚本 健人
出願人/特許権者： 凸版印刷株式会社
代理人 (7件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-203222
公開番号（公開出願番号）：特開2006-024842
出願日： 2004年07月09日
公開日（公表日）： 2006年01月26日
要約：

【課題】半導体素子と、コアを有さないインターポーザと、プリント基板各々が異なる膨張係数であっても、周囲の温度変化のストレスによる破壊及び破断を、従来例に比較して低減させられる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体素子2と、該半導体素子を実装する線膨張係数が16ppm/°C以上のインターポーザ1とを半田バンプ3により接続し、前記半導体素子及びインターポーザの間と、半田バンプの間隙とに充填樹脂5を充填して硬化させた半導体装置であって、前記充填樹脂のガラス転移点の温度が100°C〜120°Cであり、125°Cにおける弾性率が0.1GPa以上であり、かつガラス転移点以下における線膨張係数α1が30ppm/°C以下であることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体素子と、該半導体素子を実装する線膨張係数が16ppm/°C以上のインターポーザとを半田バンプにより接続し、前記半導体素子及びインターポーザの間と、半田バンプの間隙とに充填樹脂を充填して硬化させた半導体装置であって、 前記充填樹脂のガラス転移点の温度が100°C〜120°Cであり、125°Cにおける弾性率が0.1GPa以上であり、かつガラス転移点以下における線膨張係数α1が30ppm/°C以下であることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/12 ,  H01L 21/56 ,  H01L 21/60

FI (3件)：

H01L23/12 501B ,  H01L21/56 E ,  H01L21/60 311Q

Fターム (7件)：

5F044KK02 ,  5F044LL01 ,  5F044RR17 ,  5F061AA01 ,  5F061BA04 ,  5F061CA05 ,  5F061CB13

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-197553   出願人：株式会社リコー

審査官引用 (3件)

• 封止用成形材料及び電子部品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-057650   出願人：日立化成工業株式会社
• 半導体装置の製造方法および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-040961   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-229791   出願人：住友ベークライト株式会社