特許
J-GLOBAL ID:200903040446342999

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-229791
公開番号(公開出願番号):特開2003-040979
出願日: 2001年07月30日
公開日(公表日): 2003年02月13日
要約:
【要約】【課題】 成形後や半田処理時の反りが小さいエリア実装型半導体装置を提供すること。【解決手段】 下記のエポキシ樹脂組成物を用いて、半導体素子を封止して得られる半導体装置が、半導体装置面積に対する半導体素子面積が40%以上であることを特徴とするエリア実装型半導体装置。(A)エポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂、(C)無機充填材及び(D)硬化促進剤を必須成分とし、全エポキシ樹脂組成物中に無機充填材を65〜95重量%含有するエポキシ樹脂組成物において、該エポキシ樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度が130°C未満、曲げ弾性率が、?@25°Cから「ガラス転移温度+5°C」の温度範囲内において20000N/mm2未満、?A「ガラス転移温度+5°C」から140°Cの温度範囲内において8000N/mm2未満、?D140°Cから175°Cの温度範囲内において1000N/mm2未満で、かつガラス転移温度から25°Cまでの熱収縮率が0.2%未満であるエポキシ樹脂組成物。
請求項(抜粋):
下記のエポキシ樹脂組成物を用いて、半導体素子を封止して得られる半導体装置が、半導体装置面積に対する半導体素子面積が40%以上であることを特徴とするエリア実装型半導体装置。(A)エポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂、(C)無機充填材及び(D)硬化促進剤を必須成分とし、全エポキシ樹脂組成物中に無機充填材を65〜95重量%含有するエポキシ樹脂組成物において、該エポキシ樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度が130°C未満、曲げ弾性率が、?@25°Cから「ガラス転移温度+5°C」の温度範囲内において20000N/mm2未満、?A「ガラス転移温度+5°C」から140°Cの温度範囲内において8000N/mm2未満、?B140°Cから175°Cの温度範囲内において1000N/mm2未満で、かつガラス転移温度から25°Cまでの熱収縮率が0.2%未満であるエポキシ樹脂組成物。
IPC (5件):
C08G 59/62 ,  C08K 3/00 ,  C08L 63/00 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31
FI (4件):
C08G 59/62 ,  C08K 3/00 ,  C08L 63/00 C ,  H01L 23/30 R
Fターム (62件):
4J002CC04X ,  4J002CC05X ,  4J002CC07X ,  4J002CC08X ,  4J002CD04W ,  4J002CD05W ,  4J002CD06W ,  4J002CD07W ,  4J002CD16W ,  4J002CD18W ,  4J002DE136 ,  4J002DE146 ,  4J002DJ016 ,  4J002EN027 ,  4J002EU117 ,  4J002EU137 ,  4J002EW137 ,  4J002FA086 ,  4J002FD016 ,  4J002FD090 ,  4J002FD130 ,  4J002FD14X ,  4J002FD157 ,  4J002FD160 ,  4J002GQ05 ,  4J036AA01 ,  4J036AC01 ,  4J036AC02 ,  4J036AC05 ,  4J036AC07 ,  4J036AD08 ,  4J036AF05 ,  4J036AF06 ,  4J036AF08 ,  4J036CD04 ,  4J036CD23 ,  4J036DA02 ,  4J036DA05 ,  4J036DC05 ,  4J036DC40 ,  4J036DC46 ,  4J036DD07 ,  4J036FA01 ,  4J036FA03 ,  4J036FA05 ,  4J036FB07 ,  4J036JA07 ,  4M109AA01 ,  4M109BA03 ,  4M109CA21 ,  4M109CA22 ,  4M109EA02 ,  4M109EB03 ,  4M109EB04 ,  4M109EB06 ,  4M109EB07 ,  4M109EB08 ,  4M109EB09 ,  4M109EB13 ,  4M109EB18 ,  4M109EB19 ,  4M109EC04
引用特許:
審査官引用 (8件)
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