半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：朝日奈宗太 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-040961
公開番号（公開出願番号）：特開2000-311923
出願日： 2000年02月18日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
要約：

【要約】【課題】フリップ接合時に半導体チップに加える荷重を低減でき、半導体装置の製造効率および信頼性の向上を図り得る半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】配線基板上で半導体チップの回路面を下側にして、前記半導体チップと前記配線基板との間を前記配線基板の配線部より高い突起状の半田バンプ電極で接続搭載し、さらに前記半導体チップと前記配線基板との間が熱硬化性の樹脂組成物にて接着されている半導体装置の製造方法において、前記樹脂組成物層をあらかじめ前記半導体チップまたは前記配線基板に形成し、半田の融点以下の温度で溶融させ、前記半導体チップと前記配線基板との半田溶融接合時には前記樹脂組成物は溶融状態を保ち、前記半導体チップと前記配線基板とを電気的に接続後、半田の融点温度以下で前記樹脂組成物硬化をさて半導体装置を製造する。

請求項（抜粋）：

配線基板上で半導体チップの回路面を下側にして、前記半導体チップと前記配線基板との間を前記配線基板の配線部より高い突起状の半田バンプ電極で接続搭載し、さらに前記半導体チップと前記配線基板との間が熱硬化性の樹脂組成物にて接着されている半導体装置の製造方法において、前記樹脂組成物層をあらかじめ前記半導体チップまたは前記配線基板に形成し、半田の融点以下の温度で溶融させ、前記半導体チップと前記配線基板との半田溶融接合時には前記樹脂組成物は溶融状態を保ち、前記半導体チップと前記配線基板とを電気的に接続後、半田の融点温度以下で前記樹脂組成物を硬化させることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 , H01L 23/12

FI (2件)：

H01L 21/60 311 S , H01L 23/12 L

Fターム (2件)：

5F044LL01 , 5F044LL11

引用特許：

出願人引用 (4件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-316749 出願人：松下電子工業株式会社
電子部品の実装方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-011089 出願人：松下電器産業株式会社
特開平3-016147

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審査官引用 (4件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-316749 出願人：松下電子工業株式会社
電子部品の実装方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-011089 出願人：松下電器産業株式会社
特開平3-016147

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