特許
J-GLOBAL ID：200903075181856659

荷電粒子線露光方法及び装置、ならびにデバイス製造方法

発明者：
村木 真人

村木 真人 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-302205
公開番号（公開出願番号）：特開2000-133566
出願日： 1998年10月23日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：
【要約】【課題】 ステージの移動に伴う荷電粒子線の位置変動に起因する描画精度の低下を軽減する。【解決手段】 複数のマークが形成された校正用基板をステージ23に載置して移動させ、荷電粒子線と光のそれぞれによって複数のマークAMの位置を検出する。そして検出結果に基づいて、荷電粒子線の基準位置と光の基準位置との相対位置関係のステージ位置毎の変化に関する情報を求め記憶する。そして実際の描画時のステージの位置に応じて荷電粒子の基準位置を記憶された情報に基づいて補正する。
請求項（抜粋）：
基板が載置されたステージを移動させ、荷電粒子線を用いて前記基板上にパターンを露光する荷電粒子線露光方法において、複数のマークが形成された校正用基板を前記ステージに載置し、前記ステージを移動させ、前記荷電粒子線と光のそれぞれによって前記複数のマークの位置を検出する段階と、前記検出結果に基づいて、前記荷電粒子線の基準位置と前記光の基準位置との相対位置関係のステージ位置毎の変化に関する情報を求め、記憶する段階と、前記ステージの位置に応じて、前記荷電粒子の基準位置を、前記記憶された情報に基づいて補正する段階とを有することを特徴とする荷電粒子線露光方法。
IPC (5件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/20 504 ,  G03F 9/00 ,  H01J 37/147 ,  H01J 37/305
FI (6件)：
H01L 21/30 541 D ,  G03F 7/20 504 ,  G03F 9/00 H ,  H01J 37/147 C ,  H01J 37/305 B ,  H01L 21/30 541 B
Fターム (12件)：
2H097CA16 ,  2H097KA18 ,  2H097KA29 ,  2H097LA10 ,  5C033GG03 ,  5C034BB04 ,  5C034BB06 ,  5C034BB07 ,  5F056BA08 ,  5F056BD03 ,  5F056CB22 ,  5F056CC01
引用特許：
審査官引用 (7件)
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