半導体基板を処理する熱処理装置、システム及び方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村稔 (外9名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-582756
公開番号（公開出願番号）：特表2002-530847
出願日： 1999年11月12日
公開日（公表日）： 2002年09月17日
要約：

【要約】双抵抗ヒーターシステムは、周囲すなわち縁部ヒーター(120B)で包囲された基本すなわち主ヒーター(120A)を有する。両抵抗ヒーターは加熱ブロックに熱を供給し、またヒーター及び加熱ブロックは絶縁空洞(130A-H)内に実質的に収納される。絶縁空洞の壁は多絶縁層を備え得、これらの絶縁層は実質的に同心に配置される。最内側層(130A-D)はシリコンカーバイド被覆グラファイトであり得、外側層(130G-H)は不透明な石英であり得る。真空スプール(143)は、抵抗ヒーターを収容ししている室の領域からガスを排気する大きな伝導通路(1010)及び室の他の領域からガスを除去する小さな伝導通路(1020)を有する。温度測定センサは熱電対(610)及び光学高温計(630)を備え、熱電対は光学高温計をその場で較正するのに用いられ得る。

請求項（抜粋）：

処理室; 処理室内に配置された主ヒーター及び主ヒーターから離間された周囲ヒーター; 処理室内に配置され、主ヒーター及び周囲ヒーターからの熱を受ける加熱ブロック; 処理室内に配置され、主ヒーターと周囲ヒーターと加熱ブロックをほぼ包囲する一組の絶縁壁; 処理中、加熱ブロックからの熱を受けるように加熱ブロックに隣接して配置された一つ以上の半導体基板を有することを特徴とする半導体基板を処理する熱処理装置。

IPC (11件)：

H01L 21/324 , F27B 5/14 , F27D 7/02 , F27D 11/02 , F27D 19/00 , F27D 21/00 , H05B 3/00 310 , H05B 3/00 , H05B 3/10 , H05B 3/14 , H05B 3/68

FI (13件)：

H01L 21/324 J , F27B 5/14 , F27D 7/02 Z , F27D 11/02 A , F27D 19/00 A , F27D 19/00 D , F27D 21/00 G , H05B 3/00 310 A , H05B 3/00 310 E , H05B 3/10 A , H05B 3/10 C , H05B 3/14 F , H05B 3/68

Fターム (38件)：

3K058AA02 , 3K058AA86 , 3K058BA19 , 3K058CA12 , 3K058CA23 , 3K058CA69 , 3K058CA70 , 3K092PP09 , 3K092QA02 , 3K092QA05 , 3K092QB15 , 3K092QB49 , 3K092QB62 , 4K056AA09 , 4K056BA02 , 4K056BB06 , 4K056CA18 , 4K056FA04 , 4K056FA13 , 4K061AA01 , 4K061BA11 , 4K061CA08 , 4K061CA11 , 4K061DA05 , 4K061EA10 , 4K061FA07 , 4K061FA14 , 4K061GA02 , 4K061GA04 , 4K063AA05 , 4K063AA12 , 4K063AA15 , 4K063BA12 , 4K063CA03 , 4K063DA13 , 4K063DA32 , 4K063DA33 , 4K063EA05

引用特許：

審査官引用 (11件)

枚葉式の熱処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-210973 出願人：東京エレクトロン株式会社
熱処理方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-145658 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン東北株式会社
多目的基板処理装置およびその動作方法および薄膜集積回路の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-291268 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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