特許

J-GLOBAL ID：200903075204034287

光電変換装置および光電変換装置の製造方法

発明者： 小林 靖之 ,  坂井 智嗣 ,  米倉 義道 ,  浅草 剛一 ,  中野 要治 ,  廣瀬 文彦 ,  山下 信樹
出願人/特許権者： 三菱重工業株式会社
代理人 (2件)： 藤田 考晴 ,  上田 邦生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-006140
公開番号（公開出願番号）：特開2005-203451
出願日： 2004年01月13日
公開日（公表日）： 2005年07月28日
要約：

【課題】 光電変換装置の光劣化を低減させるとともに、光電変換効率の向上を図ることを目的とする。【解決手段】 絶縁性基板上に、第1電極と、p型シリコン層、n型シリコン層およびi型シリコン層からなるpin構造またはnip構造のアモルファスシリコン層と、第2電極とを少なくとも順次積層してなるとともに、前記第1電極の前記アモルファスシリコン層側の面が微細な凹部12aおよび凸部12bを有するテクスチャ構造とされた光電変換装置であって、前記凸部12bの周囲を取り囲む、前記凹部12aを結ぶ無端の線の長さを、該凹部12aを結ぶ無端の線で囲まれた領域の面積で除した値が、10μm〜20μm/μm2となるように、前記テクスチャ構造が形成されていることを特徴とする。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に、第1電極と、p型シリコン層、n型シリコン層およびi型シリコン層からなるpin構造またはnip構造のアモルファスシリコン層と、第2電極とを少なくとも順次積層してなるとともに、前記第1電極の前記アモルファスシリコン層側の面の表面構造が微細な凹部および凸部を有するテクスチャ構造とされた光電変換装置であって、 前記凸部の周囲を取り囲む、前記凹部を結ぶ無端の線の長さを、該凹部を結ぶ無端の線で囲まれた領域の面積で除した値が、10μm〜20μm/μm2となるように、前記テクスチャ構造が形成されていることを特徴とする光電変換装置。

IPC (1件)：

H01L31/04

FI (1件)：

H01L31/04 B

Fターム (11件)：

5F051AA05 ,  5F051BA17 ,  5F051CA15 ,  5F051CA35 ,  5F051DA04 ,  5F051DA17 ,  5F051DA20 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051FA14

引用特許：

出願人引用 (2件)

• シリコン系薄膜及び光起電力素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-323521   出願人：キヤノン株式会社
• 特許第2862174号公報
  

審査官引用 (3件)

• 酸化錫膜の製造方法および酸化錫膜の製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-185034   出願人：旭硝子株式会社
• 特許第2862174号
  
• 透明導電膜とその製造方法、およびそれを備えた光電変換装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-350207   出願人：日本板硝子株式会社, 鐘淵化学工業株式会社