SEM式欠陥レビュー装置およびその方法並びに検査システム

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-316334
公開番号（公開出願番号）：特開2002-124555
出願日： 2000年10月17日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
要約：

【要約】【課題】半導体ウエハ等の被検査対象基板内に埋もれたコンタクトホール等の導体部品に発生する導通不良(非導通、短絡など)欠陥について、その発生原因と直接相関の高いカテゴリに自動的に分類してユーザに提示するSEM式欠陥レビュー装置およびその方法を提供することにある。【解決手段】電位コントラスト欠陥を欠陥孔の配置状態によって分類、あるいは、設計情報を参照して、前工程における部品位置との相関関係に基づいて分類する。さらには、欠陥原因を推定する。

請求項（抜粋）：

外観検査装置から得られる被検査対象基板上の欠陥の位置情報に基づいて被検査対象基板を載置するステージを走行制御して被検査対象基板上の欠陥部位を電子線光軸に対して位置決めし、該位置決めされた被検査対象基板上の欠陥部位に対して収束された電子線ビームを走査照射して上記欠陥部位から電位コントラストとして生じる2次電子を検出して欠陥画像信号に変換するSEM式欠陥レビュー装置であって、上記被検査対象基板上の欠陥を、上記変換された欠陥画像信号と、上記被検査対象基板に関する各種導体部品のレイアウト情報とに基づいて、上記被検査対象基板における各種導体部品についての導通不良欠陥の種類で示される分類カテゴリに自動的に分類するカテゴリ分類手段を備えたことを特徴とするSEM式欠陥レビュー装置。

IPC (4件)：

H01L 21/66 , G01N 23/225 , H01J 37/22 502 , H01J 37/28

FI (5件)：

H01L 21/66 J , H01L 21/66 S , G01N 23/225 , H01J 37/22 502 D , H01J 37/28 B

Fターム (33件)：

2G001AA03 , 2G001BA07 , 2G001BA15 , 2G001CA03 , 2G001EA05 , 2G001FA01 , 2G001FA06 , 2G001GA04 , 2G001GA05 , 2G001GA06 , 2G001JA07 , 2G001JA13 , 2G001JA16 , 2G001KA03 , 2G001LA11 , 2G001MA05 , 2G001PA07 , 2G001PA11 , 4M106AA01 , 4M106AA11 , 4M106BA02 , 4M106CA16 , 4M106CA38 , 4M106DB05 , 4M106DB21 , 4M106DH07 , 4M106DH24 , 4M106DJ04 , 4M106DJ11 , 4M106DJ20 , 4M106DJ23 , 5C033UU05 , 5C033UU06

引用特許：

審査官引用 (6件)

電位測定方法及びその装置並びに導通検査方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-091062 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置不良解析システム
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-253772 出願人：株式会社日立製作所
画像自動収集装置およびその方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-295017 出願人：株式会社日立製作所

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