特許
J-GLOBAL ID：200903086261366816

III族窒化物マルチチャンネルヘテロ接合インターデジタル整流器

発明者：
ロバート・ビーチ

ロバート・ビーチ について


出願人/特許権者：
インターナショナル レクティフィアー コーポレイション

インターナショナル レクティフィアー コーポレイション について


代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-288548
公開番号（公開出願番号）：特開2006-108676
出願日： 2005年09月30日
公開日（公表日）： 2006年04月20日
要約：
【課題】高い降伏電圧を有する高い導電性の電力半導体装置を提供する。【解決手段】本発明の電力半導体装置は、第1のIII族窒化物ヘテロ接合と、該第1のIII族窒化物ヘテロ接合上に配置された第2のIII族窒化物ヘテロ接合と、該第2のIII族窒化物ヘテロ接合に電気的に接続された第1電極と、前記第2のIII族窒化物ヘテロ接合に電気的に接続され、前記第1電極から離隔された第2電極と、を有する。前記第1電極は、前記第2のIII族窒化物ヘテロ接合とショットキーコンタクトを形成し、前記第2電極は、前記第2のIII族窒化物ヘテロ接合とオーミックコンタクトを形成する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
第1のIII族窒化物ヘテロ接合と、 該第1のIII族窒化物ヘテロ接合上に配置された第2のIII族窒化物ヘテロ接合と、 該第2のIII族窒化物ヘテロ接合に電気的に接続された第1電極と、 前記第2のIII族窒化物ヘテロ接合に電気的に接続され、前記第1電極から離隔された第2電極と、を有する電力半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/28 ,  H01L 29/861
FI (2件)：
H01L21/28 301B ,  H01L29/91 F
Fターム (16件)：
4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104FF13 ,  4M104GG03 ,  4M104GG18
引用特許：
審査官引用 (6件)
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