特許
J-GLOBAL ID：200903075254343450

半導体装置の製造方法

発明者：
中嶋 一明

中嶋 一明 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (7件)： 鈴江 武彦 ,  村松 貞男 ,  坪井 淳 ,  橋本 良郎 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  河井 将次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-316349
公開番号（公開出願番号）：特開2004-152995
出願日： 2002年10月30日
公開日（公表日）： 2004年05月27日
要約：
【課題】ゲート電極の仕事関数を最適化することができ、しかも特性や信頼性の低下を防止することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】n型MISトランジスタ及びp型MISトランジスタを備えた半導体装置の製造方法であって、n型MISトランジスタが形成される第1の領域に第1のゲート絶縁膜110を形成する工程と、第1の領域であって第1のゲート絶縁膜上に、シリコンと、タングステン及びモリブデンの中から選択された金属元素と、リン及びヒ素の中から選択された不純物元素とを含有した第1の導電膜111を堆積する工程と、p型MISトランジスタが形成される第2の領域に第2のゲート絶縁膜110を形成する工程と、第2の領域であって第2のゲート絶縁膜上に、第1の導電膜よりも高い仕事関数を有する第2の導電膜113を形成する工程とを備える。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
n型MISトランジスタ及びp型MISトランジスタを備えた半導体装置の製造方法であって、 n型MISトランジスタが形成される第1の領域に第1のゲート絶縁膜を形成する工程と、 前記第1の領域であって前記第1のゲート絶縁膜上に、シリコンと、タングステン及びモリブデンの中から選択された金属元素と、リン及びヒ素の中から選択された不純物元素とを含有した第1の導電膜を堆積する工程と、 p型MISトランジスタが形成される第2の領域に第2のゲート絶縁膜を形成する工程と、 前記第2の領域であって前記第2のゲート絶縁膜上に、前記第1の導電膜よりも高い仕事関数を有する第2の導電膜を形成する工程と、 を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (9件)：
H01L21/8238 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/092 ,  H01L27/108 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78
FI (7件)：
H01L27/08 321D ,  H01L21/28 301S ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/58 G ,  H01L27/10 621C ,  H01L27/10 681F ,  H01L29/78 301P
Fターム (115件)：
4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104BB26 ,  4M104BB28 ,  4M104BB36 ,  4M104BB40 ,  4M104CC05 ,  4M104DD02 ,  4M104DD03 ,  4M104DD08 ,  4M104DD16 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45 ,  4M104DD66 ,  4M104DD75 ,  4M104DD78 ,  4M104DD83 ,  4M104DD88 ,  4M104DD90 ,  4M104EE03 ,  4M104EE05 ,  4M104EE09 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF13 ,  4M104FF21 ,  4M104GG08 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104GG16 ,  4M104GG19 ,  4M104HH20 ,  5F048AB01 ,  5F048AB03 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB10 ,  5F048BB11 ,  5F048BB14 ,  5F048BB16 ,  5F048BB17 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048BG13 ,  5F048BG14 ,  5F048DA23 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F083AD01 ,  5F083AD24 ,  5F083GA21 ,  5F083JA06 ,  5F083JA35 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR06 ,  5F083PR29 ,  5F083PR40 ,  5F083PR43 ,  5F083PR44 ,  5F083PR45 ,  5F083PR53 ,  5F083PR54 ,  5F083PR55 ,  5F083ZA05 ,  5F083ZA07 ,  5F083ZA12 ,  5F140AA01 ,  5F140AA27 ,  5F140AB03 ,  5F140AB09 ,  5F140AC32 ,  5F140BA01 ,  5F140BD09 ,  5F140BE03 ,  5F140BE05 ,  5F140BE06 ,  5F140BE07 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05 ,  5F140BF07 ,  5F140BF08 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BF37 ,  5F140BG04 ,  5F140BG09 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG28 ,  5F140BG36 ,  5F140BG40 ,  5F140BG51 ,  5F140BG53 ,  5F140BH15 ,  5F140BK02 ,  5F140BK05 ,  5F140BK13 ,  5F140CE07
引用特許：
審査官引用 (6件)
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