半導体装置の形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：本城雅則 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-215988
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068563
出願日： 2000年07月17日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：

【要約】【課題】金属を含むゲート電極を有する半導体装置が提供される。【解決手段】第1および第2ダミー構造(201,202)が半導体装置基板(10)上に形成される。ある実施例では、第1ダミー構造(201)の一部分は除去されかつ第1導電材料(64)で置き換えられて第1ゲート電極(71)を形成し、第2ダミー構造(202)の一部分は除去されかつ第2導電材料(84)で置き換えられて第2ゲート電極(91)を形成する。別の実施例では、ダミー構造(201,202)は、第1電極(71)を形成するために用いられる第1導電材料(164)を使用して形成される。その後、第2電極はダミー構造(202)から第1導電材料(164)を除去しかつそれを第2導電材料(84)で置き換えることにより形成される。本発明の実施例に従って、第1導電材料および第2導電材料は異なった導電材料である。

請求項（抜粋）：

半導体装置を形成する方法において、半導体装置基板(10)上に第1ゲート電極(71)を形成する段階であって、前記第1ゲート電極(71)はアルミニウム,銅,チタン,タンタル,タングステン,モリブデン,プラチナ,パラディウム,オスミウム,イリジウムおよびルテニウムからなるグループから選択された第1金属含有導電性材料(64)含む、段階と、前記半導体装置基板(10)上に第2ゲート電極(91)を形成する段階であって、前記第2ゲート電極(91)はアルミニウム,銅,チタン,タンタル,タングステン,モリブデン,プラチナ,パラディウム,オスミウム,イリジウムおよびルテニウムからなりるグループから選択された第2金属含有導電性材料(84)含み、前記第2金属含有導電性材料(84)および前記第1金属含有導電性材料(64)は異なった形式の金属含有導電材料である、段階と、から構成されることを特徴とする半導体装置を形成する方法。

IPC (6件)：

H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 21/28 , H01L 21/28 301 , H01L 21/3205 , H01L 29/78

FI (7件)：

H01L 27/08 321 D , H01L 21/28 L , H01L 21/28 301 L , H01L 21/28 301 R , H01L 21/88 M , H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 301 S

引用特許：

審査官引用 (10件)

半導体装置の製法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-242059 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-356493 出願人：株式会社東芝
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-278587 出願人：富士通株式会社

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