特許
J-GLOBAL ID：200903075257095555

ポジ型感放射線性樹脂組成物及びレジストパターン形成方法

発明者：
西村 幸生

西村 幸生 について

, 
松村 信司

松村 信司 について

, 
酒井 香織

酒井 香織 について


出願人/特許権者：
JSR株式会社

JSR株式会社 について


代理人 (3件)： 小島 清路 ,  萩野 義昇 ,  谷口 直也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-024778
公開番号（公開出願番号）：特開2008-191341
出願日： 2007年02月02日
公開日（公表日）： 2008年08月21日
要約：
【課題】二重露光によるパターンニングにおいて、第一層目に形成されるパターンを不活性化させ、第二層目のパターン形成時における露光の際に、第一層目のパターンが感光してアルカリ可溶性とならず、第一層目のパターンを保持したまま第二層目のパターンを形成可能なパターン形成方法等を提供する。【解決手段】本パターン形成方法は、第一レジスト層形成用の樹脂組成物を用いて、基板上に第一レジスト層を形成し、第一レジスト層の所用領域に放射線を照射して露光した後、現像により第一レジストパターンを形成する工程と、第一レジストパターンを光に対して不活性化させる工程と、第二レジスト層形成用の樹脂組成物を用いて、第一レジストパターンが形成された基板上に第二レジスト層を形成し、第二レジスト層の所用領域に放射線を照射して露光する工程と、現像により第一レジストパターンのスペース部分に、第二レジストパターンを形成する工程とを備える。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
(1)第一レジスト層形成用のポジ型感放射線性樹脂組成物を用いて、基板上に第一レジスト層を形成し、該第一レジスト層の所用領域に放射線を照射して露光した後、現像することによって、第一レジストパターンを形成する工程と、 (2)前記第一レジストパターンを光に対して不活性化させる工程と、 (3)第二レジスト層形成用のポジ型感放射線性樹脂組成物を用いて、前記第一レジストパターンが形成された基板上に第二レジスト層を形成し、該第二レジスト層の所用領域に放射線を照射して露光する工程と、 (4)現像することによって、前記第一レジストパターンのスペース部分に、第二レジストパターンを形成する工程と、を備えることを特徴とするレジストパターン形成方法。
IPC (4件)：
G03F 7/40 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027 ,  C08F 20/30
FI (4件)：
G03F7/40 521 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 514A ,  C08F20/30
Fターム (35件)：
2H025AA01 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  2H025FA29 ,  2H025FA30 ,  2H025FA39 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096EA05 ,  2H096GA09 ,  2H096HA01 ,  2H096HA03 ,  2H096HA30 ,  2H096JA04 ,  2H096JA07 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100BA54P ,  4J100BC53Q ,  4J100BC60P ,  4J100BC83P ,  4J100BC84P ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100JA38 ,  5F046AA13 ,  5F046DA07
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)

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