特許

J-GLOBAL ID：200903051446887199

レジストパターンの形成方法

発明者： 岩井 武 ,  岩下 淳
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (5件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-331136
公開番号（公開出願番号）：特開2006-139218
出願日： 2004年11月15日
公開日（公表日）： 2006年06月01日
要約：

【課題】 下層に密パターンを形成し、上層にパターンを形成するレジストパターンの形成方法において、ミキシングを抑制できるレジストパターンの形成方法を提供する。【解決手段】 次の(i)〜(ii)の工程;(i)基板上にポジ型レジスト組成物を用いて第1のレジスト層を形成し、選択的に露光して、該第1のレジスト層に密パターンの潜像部を形成する工程;(ii)該第1のレジスト層の上にネガ型レジスト組成物を用いて第2のレジスト層を形成し、選択的に露光した後、第1のレジスト層と第2のレジスト層を同時に現像して、前記密パターンの潜像部の一部を露出させる工程;を含むレジストパターンの形成方法であって、前記ネガ型レジスト組成物として、第1のレジスト層を溶解しない有機溶剤に溶解したネガ型レジスト組成物を用いることを特徴とするレジストパターンの形成方法。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

下記(i)〜(ii)の工程 (i)基板上にポジ型レジスト組成物を用いて第1のレジスト層を形成し、選択的に露光して、該第1のレジスト層に密パターンの潜像部を形成する工程 (ii)該第1のレジスト層の上にネガ型レジスト組成物を用いて第2のレジスト層を形成し、選択的に露光した後、第1のレジスト層と第2のレジスト層を同時に現像して、前記密パターンの潜像部の一部を露出させる工程 を含むレジストパターンの形成方法であって、 前記ネガ型レジスト組成物として、第1のレジスト層を溶解しない有機溶剤に溶解したネガ型レジスト組成物を用いることを特徴とするレジストパターンの形成方法。

IPC (4件)：

G03F 7/26 ,  G03F 7/038 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

G03F7/26 511 ,  G03F7/038 601 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R ,  H01L21/30 573

Fターム (27件)：

2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025CB52 ,  2H025CC20 ,  2H025DA13 ,  2H025FA04 ,  2H025FA12 ,  2H025FA15 ,  2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096BA06 ,  2H096BA11 ,  2H096BA20 ,  2H096EA05 ,  2H096EA12 ,  2H096FA01 ,  2H096GA04 ,  2H096KA03 ,  2H096KA05 ,  5F046NA04 ,  5F046NA13

引用特許：

出願人引用 (2件)

• ポジ型レジスト組成物及びレジストパターンの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-369340   出願人：東京応化工業株式会社
• 米国公開公報US2003-0104319A1
  

審査官引用 (5件)

• 半導体装置の製造方法並びに半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-240528   出願人：三菱電機株式会社, 菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-176733   出願人：株式会社東芝
• 微細パターン形成方法を用いた半導体装置の製造方法および当該方法により製造した半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-327146   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-213282   出願人：富士通株式会社
• ポジ型レジスト組成物及びレジストパターンの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-369340   出願人：東京応化工業株式会社