特許

J-GLOBAL ID：200903075321784610

高周波ダイオード

発明者： 田中 雄一 ,  林 宏明
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-336317
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164891
出願日： 1998年11月26日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】 逆バイアス時の容量の小さな高周波ダイオードを提供する。【解決手段】GaAs半導体基板上に3層構造からなる縦型のPIN型ダイオードを形成する。所定の混合エッチング液により異方性エッチングを行い、側面中央が窪んだ楔型凹部を形成する。また、その楔型凹部の中央部が、最上層のP型半導体層130と最下層のN型半導体層110に挟まれたI型半導体層120に位置するように配置する。楔型凹部の媒体は空気であるから、その部分の誘電率が1となる。従って、楔型凹部を含んだI型半導体層120の誘電率は合成され、低減される。よって、逆バイアス時の結合容量が低減される。従って、引き出し線の製造工程によって、最上層のP型半導体層130が所定の面積に規定されても、この構造をとることにより逆バイアス時の結合容量は低減化される。これにより、従来より低損失な高周波ダイオードが提供できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に製造され、その主たる電流経路が前記半導体基板の法線方向と一致する縦型ダイオードであって、前記半導体基板と平行な半導体最上面に一方の電極を有する高周波ダイオードにおいて、前記ダイオードの逆バイアス時に形成される空乏層の一端となりうる接合面を持ち、該接合面の面積が前記半導体最上面の面積以下であり、該接合面から前記半導体基板側に向けて、水平方向の断面積がさらに小さくなる部分を有していることを特徴とする高周波ダイオード。

IPC (2件)：

H01L 29/861 ,  H01L 29/872

FI (3件)：

H01L 29/91 C ,  H01L 29/48 F ,  H01L 29/91 F

Fターム (9件)：

4M104AA05 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD06 ,  4M104DD24 ,  4M104FF27 ,  4M104FF30 ,  4M104GG02 ,  4M104GG03

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭55-065481
  
• 高耐圧半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-063251   出願人：株式会社日立製作所
• 高耐圧半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-357260   出願人：関西電力株式会社, 株式会社日立製作所
• 高耐圧半導体装置及びその製造方法並びにそれを用いた電力変換装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-308980   出願人：株式会社日立製作所