特許

J-GLOBAL ID：200903075321905361

導波路型固体レーザ

発明者： 加藤 雄二郎 ,  下小園 真 ,  杉本 直登 ,  山田 誠 ,  大石 泰丈 ,  清水 誠 ,  須藤 昭一
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 雨宮 正季
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-113491
公開番号（公開出願番号）：特開平7-302950
出願日： 1994年04月28日
公開日（公表日）： 1995年11月14日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 0.81μmの半導体レーザで励起可能な、1.02〜1.03μm波長領域の小型・安価で、他の導波路型部品への結合が容易な、高出力の導波路型固体レーザを提供する。【構成】 導波路を形成するための基板としてGGG、NGG、SGG、GSGGあるいはNOGの中から選んだ単結晶基板1を用い、下部および上部クラッド2,3として、前記基板材料の中から選んだ単結晶膜を用いる。ここで構成元素のGaの一部をAlまたはScで置換し、かつGd、NdあるいはSmの一部をLaに、またはNGG以外の基板材料の場合に限り、GdあるいはSmの一部をNdに置換し、光閉じ込め層4には前記基板材料の単結晶膜の構成元素であるGd、NdあるいはSmの一部をYbまたはLuに置換する。またNGG以外の基板材料の場合に限り、GdあるいはSmの一部をNdに置換する。

請求項（抜粋）：

導波路を形成するための基板としてGd3Ga5O12(GGG)、Nd3Ga5O12(NGG)、Sm3Ga5O12(SGG)、Gd3Sc2Ga5O12(GSGG)あるいは(GdCa)3(GaMgZr)5O12(NOG)の中から選ばれる単結晶基板を用い、下部クラッドおよび上部クラッドとして、前記基板材料の中から選ばれる単結晶膜であって、構成元素であるGaの一部をAlあるいはScで置換し、かつ希土類元素Gd、NdあるいはSmの一部をLaに、またはNGG以外の基板材料の場合に限り、GdあるいはSmの一部をNdに置換したものを用い、光を閉じ込めるコア層として、前記基板材料の中から選ばれる単結晶膜であって、構成元素である希土類元素Gd、NdあるいはSmの一部をYbに、またはNGG以外の基板材料の場合に限り、GdあるいはSmの一部をNdに置換したものを用いることを特徴とする導波路型固体レーザ。

IPC (2件)：

H01S 3/16 ,  H01S 3/06

引用特許：

審査官引用 (4件)

• ガーネット結晶光導波路およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-165047   出願人：日本電信電話株式会社
• 光能動装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-191146   出願人：住友電気工業株式会社, 日本電信電話株式会社
• 特開昭63-103395
  
• 特開昭53-103395