特許

J-GLOBAL ID：200903075374091552

LEC法による化合物半導体単結晶の製造方法と製造装置

発明者： 大塚 晃 ,  成田 長仁 ,  山田 剛 ,  村上 元一
出願人/特許権者： 同和鉱業株式会社
代理人 (4件)： 萩原 康司 ,  金本 哲男 ,  亀谷 美明 ,  和田 憲治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-159552
公開番号（公開出願番号）：特開2005-336026
出願日： 2004年05月28日
公開日（公表日）： 2005年12月08日
要約：

【課題】 LEC法によって化合物半導体結晶を製造するに際し,安定した直径の単結晶を引き上げるようにする。【解決手段】 液面が液体封止材bで覆われた原料融液aのから,化合物半導体単結晶cを引き上げて製造するLEC法において,原料融液aから引き上げられた化合物半導体単結晶cを囲むシールド17を配置し,結晶成長開始から成長終了までの間,このシールド17の下端を液体封止材bに浸漬させた状態に維持することにより,安定した直径の単結晶が得られる。シールド17は,昇降機構20,21によってるつぼ11に対して相対的に昇降させられるので,シールド17の比重を考慮する必要が無く,また,原料融液aに接触することによる汚染も発生しない。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

液面が液体封止材で覆われた原料融液から,化合物半導体単結晶を引き上げて製造するLEC法による製造方法であって, 前記原料融液から引き上げられた化合物半導体単結晶を囲むシールドを配置し,結晶成長開始から成長終了までの間,このシールドの下端を前記液体封止材に浸漬させた状態に維持することを特徴とする,化合物半導体単結晶の製造方法。

IPC (2件)：

C30B15/00 ,  C30B27/02

FI (2件)：

C30B15/00 Z ,  C30B27/02

Fターム (8件)：

4G077AA02 ,  4G077BE46 ,  4G077CF10 ,  4G077EG25 ,  4G077EJ07 ,  4G077HA12 ,  4G077PA13 ,  4G077PA16

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特許第1339245号公報
  
• 特開昭58-15097号公報
  

審査官引用 (5件)

• 単結晶の成長方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-045853   出願人：住友電気工業株式会社
• 特開平2-267198
  
• 結晶成長炉及び結晶成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-196772   出願人：同和鉱業株式会社
• 化合物半導体単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-110026   出願人：日立電線株式会社
• 特開昭58-015097