記憶装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：岩橋文雄 , 坂口智康 , 内藤浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-187222
公開番号（公開出願番号）：特開2004-031728
出願日： 2002年06月27日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：

【課題】強誘電体を任意の電極上に自己整合的に選択成長させて形成した強誘電体キャパシタをメモリセルの一部に用いてデータを記憶することを目的とする。【解決手段】基板上に形成した第1の電極と、前記第1の電極の上に形成した第1の強誘電体と、前記強誘電体の上に形成した第2の電極とから形成した強誘電体キャパシタと、前記強誘電体キャパシタを含むメモリセルが構成された記憶装置であって、前記第1の強誘電体は、前記第1の電極の上に選択的に成長し形成されるので、任意の形状の電極上に選択的に強誘電体を形成でき、強誘電体に損傷領域のない微細な強誘電体キャパシタを提供する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に形成した第1の電極と、前記第1の電極の上に形成した第1の強誘電体と、前記強誘電体の上に形成した第2の電極とから形成した強誘電体キャパシタと、前記強誘電体キャパシタを含むメモリセルが構成された記憶装置であって、前記第1の強誘電体は、前記第1の電極の上に選択的に成長し形成される記憶装置。

IPC (1件)：

H01L27/105

FI (1件)：

H01L27/10 444B

Fターム (9件)：

5F083FR02 , 5F083GA09 , 5F083KA01 , 5F083KA05 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083MA19 , 5F083PR25 , 5F083PR40

引用特許：

審査官引用 (5件)

強誘電体メモリ装置およびその製造方法ならびに混載装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-281725 出願人：セイコーエプソン株式会社
強誘電体メモリ素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-316850 出願人：株式会社日立製作所
メモリ及び情報機器
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-008170 出願人：ソニー株式会社

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