特許
J-GLOBAL ID：200903075414369532

スパッタリングターゲット及び焼結体それらを利用して製造した導電膜。

発明者：
井上 一吉

井上 一吉 について


出願人/特許権者：
出光興産株式会社

出光興産株式会社 について


代理人 (1件)： 伊藤 充
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-226429
公開番号（公開出願番号）：特開2004-068054
出願日： 2002年08月02日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：
【課題】透明性に優れた導電膜であって、従来より大きな仕事関数を有する導電膜を提供する。このような導電膜を用いることにより正孔の注入効率が向上したEL素子等を提供する。【解決手段】酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズの1種以上を成分として含む焼結体において、酸化ハフニウム、酸化タンタル、ランタノイド系酸化物、及び酸化ビスマスのいずれか1種以上の金属を含む焼結体を作成する。この焼結体にバッキングプレートを取り付けてスパッタリングターゲットを構成する。このスパッタリングターゲットを利用してスパッタリングにより導電膜を所定の基板上に製造する。この導電膜は透明性を従来と同程度に維持しつつ、大きな仕事関数を実現している。この導電膜を用いれば、正孔の注入効率が向上したEL素子等が実現可能である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
インジウム、亜鉛、スズから選ばれる1種以上の金属を成分として含むスパッタリングターゲットであって、 第三成分としてハフニウム、タンタル、ビスマス、又はランタノイド系金属からなる群から選ばれる少なくとも1種以上の金属を含むことを特徴とするスパッタリングターゲット。
IPC (4件)：
C23C14/34 ,  C04B35/00 ,  C23C14/08 ,  H01B5/14
FI (4件)：
C23C14/34 A ,  C23C14/08 K ,  H01B5/14 A ,  C04B35/00 H
Fターム (32件)：
4G030AA11 ,  4G030AA14 ,  4G030AA18 ,  4G030AA21 ,  4G030AA32 ,  4G030AA34 ,  4G030AA39 ,  4G030AA43 ,  4G030BA02 ,  4G030BA15 ,  4G030GA03 ,  4G030GA04 ,  4G030GA05 ,  4G030GA22 ,  4G030GA27 ,  4K029BA01 ,  4K029BA10 ,  4K029BA15 ,  4K029BA18 ,  4K029BA45 ,  4K029BA47 ,  4K029BA49 ,  4K029BA50 ,  4K029BC09 ,  4K029CA05 ,  4K029DC02 ,  4K029DC09 ,  4K029DC12 ,  4K029DC21 ,  5G307FB01 ,  5G307FC09 ,  5G307FC10
引用特許：
審査官引用 (7件)
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