特許

J-GLOBAL ID：200903075470132332

高周波半導体装置,及びその製造方法

発明者： 中山 修 ,  村山 雅一 ,  中村 幸男
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-215842
公開番号（公開出願番号）：特開平8-083813
出願日： 1994年09月09日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：

【要約】【目的】 封止樹脂を施したGaAsFETにおいて、パッシベーション膜に影響を与えず、封止樹脂の誘電率の影響を軽減でき、その高周波特性の劣化を生じないものを得る。【構成】 リセスを有するGaAs基板1上に形成したTi/Al/Moゲート電極2を有するGaAsFET10において、ゲート電極2,及びその周辺の該GaAsFET10の表面に、SiNパッシベーション膜5を成膜し、その誘電率が3.2以下で、膜厚が2μm以上のフッ素樹脂よりなる被覆樹脂7を被覆した後、エポキシ系のモールド樹脂で封止する。【効果】 チップの特性劣止防止ではなく、モールドすることによる,高周波特性の劣化を防止できる。

請求項（抜粋）：

電界効果トランジスタをプラスチックモールド樹脂で封止してなる高周波半導体装置において、上記電界効果トランジスタのゲート電極,及び該ゲート電極の周辺の該電界効果トランジスタの表面に、酸化膜,または窒化膜よりなるパッシベーション膜を成膜した後に、その誘電率が3.2以下で,膜厚が2μm以上のフッ素系樹脂を被覆してなる,該フッ素系樹脂と上記パッシベーション膜との2重構造を有し、上記プラスチックモールド樹脂で封止してなることを特徴とする高周波半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (4件)：

H01L 29/80 Q ,  H01L 23/30 B ,  H01L 23/30 D ,  H01L 29/80 G

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-180881   出願人：シャープ株式会社
• 特開平2-277258
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-261949   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-088118   出願人：株式会社東芝